掩膜版制造工艺_迎接45和32nm节点新挑战

掩膜版制造工艺：迎接 45 和 32nm 节点新挑战 whpzzseu123 发表于: 2007-7-06 10:18 来源: 半导体技术天地 掩膜版制造工艺：迎接 45 和 32nm 节点新挑战 随着集成电路制造工艺的飞速发展，45 和 32nm 技术节点已成为近两年人们谈论的热点，作为集成电路制造工艺中最关键的光刻工艺首当其冲成为热点中的焦点。浸入式光刻(Immersion)、两次曝光技术(Dou ble Patterning)、超紫外光刻(EUV)反复被人们提及，而作为光刻工艺三要素之一的掩膜版却往往容易被人们忽略。 从概念上讲曝光系统的工作原理与相机类似，通过一系列光学系统将掩膜版上的图形按照 4:1 的比例投影在晶圆上的光刻胶涂层上。从理论上讲，如果晶圆上的最小线宽(Critical Dimension)要达到 45 或32nm，掩膜版上的图形最小线宽(CD)只要达到 180 或128nm 即可，与其他制作工艺相比，掩膜版的制造工艺相对要“容易”了很多。但掩膜版如同投影用的电影胶片的底片一样，它的技术水平直接影响着光刻技术的发展，特别是随着最小线宽的逐渐缩小，投影到光刻胶涂层上的图形对比度和图形失真等问题将越演越烈，掩膜版制造将如何从设备、工艺、版图设计等多方面着手以应对45 和 32nm 工艺节点的新挑战？ 掩膜版制造设备的最新进展 谈到掩膜 版，首 先要谈到 掩膜版 制造设备——图 形发生器(Pattern Generator)。目前，掩膜版制造设备供应商主要有三家：Micronic、Jeol 和NuFlare，制作工艺分为激光和电子束两种图形描绘方式，但两种方式各有利弊。采用激光来描绘图形的优势是速度快、效率高，但精度不如电子束扫描方式；而采用电子束描绘图形，虽然精度高，但描绘速度慢、生产效率低。由于两种方式的互补性，掩膜版制造商会分别购买两种设备，当制备线宽要求很高的电路图形时使用电子束扫描，对于线宽要求不是很高的电路图形则使用激光扫描，两种设备的交替使用既满足了精度要求，也大大提高了速度，同时也大大降低了制造商的投资成本。 随着技术的发展，这种状况正在改变。三家掩膜版制造设备供应商都对各自的弱点有了技术上的改进。 生产激光图形发生器的Micronic 于2005 年推出了Sigma7500，它与传统的激光图形发生器有所不同。据Micronic 的合作伙伴——台湾 Hermes-Epitek公司光罩设备部门经理林文盛介绍，Sigma7500 采用Micronic 独家的SLM(Spatial Light Modulator)技术，含有百万个镜片的SLM 会将深紫外光(DUV)准分子激光反射到掩膜...