n 沟道 mos 管和 p 沟道 mos 管 1、MOS/CMOS 集成电路简介及 N 沟道 MOS 管和 P 沟道 MOS 管在实际项目中，我们基本都用增加型 mos 管，分为 N 沟道和 P 沟道两种。我们常用的是 NMOS，由于其导通电阻小，且简洁制造。在 MOS 管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载〔如马达〕，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的 MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。1.导通特性 NMOS 的特性，Vgs 大于确定的值就会导通，适合用于源极接地时的状况〔低端驱动〕，只要栅极电压到达 4V 或10V 就可以了。PMOS 的特性，Vgs 小于确定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的状况〔高端驱动〕。但是 2、，虽然 PMOS 可以很便利地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等缘由，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。2.MOS 开关管损失不管是 NMOS 还是 PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的 MOS 管会减小导通损耗。如今的小功率 MOS 管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS 在导通和截止的时候，确定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。导通瞬间 3、电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种方法都可以减小开关损失。3.MOS 管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使 MOS 管导通不需要电流，只要 GS电压高于确定的值，就可以了。这个很简洁做到，但是，我们还需要速度。在 MOS 管的结构中可以看到，在 GS，GD 之间存在寄生电容，而 MOS 管的驱动，事实上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计 MOS 管驱动时第一要留意的是可供应瞬间短路电流的大小。其次留意的是，普遍用于高端驱动的 NMOS，导通 4、时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的 MOS 管导通时源极电压与漏极电压〔VCC〕相同，所以这时栅极电压要比 VCC 大4V 或 10V。假如在同一个系统里，要得到...
