第一种：可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton其中：Ton=t3-t0≈td(on）+trtd（on）:MOS 导通延迟时间，从有驶入电压上升到 10％开始到 VDS 下降到其幅值90％的时间。Tr：上升时间。输出电压 VDS 从 90％下降到其幅值 10%的时间Qg=（CEI）（VGS)或 Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在 datasheet 中找到) 第二种：(第一种的变形）密勒效应时间（开关时间)Ton/off=Qgd/Ig；Ig=[Vb—Vgs（th）］/Rg；Ig：MOS 栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压; 第三种：以 IR 的 IRF640 为例，看 DATASHEET 里有条 Total Gate Charge 曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在 0.2us 内使管子开通,估量总时间（先上升然后水平再上升）为 0。4us,由 Qg=67nC 和 0.4us 可得：67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各 0。2us 里有电流，其他时间几乎没有电流,平均值很小，但假如驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢.
