第一章半导体二极管一
半导体的基础知识1
半导体-—-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅 Si、锗 Ge）
特性-——光敏、热敏和掺杂特性
本征半导体————纯净的具有单晶体结构的半导体
两种载流子————带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子
杂质半导体——--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体
体现的是半导体的掺杂特性
＊P 型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子）
＊N 型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子,少子是空穴）
杂质半导体的特性＊载流子的浓度——-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关
*体电阻———通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻
＊转型———通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体
PN 结 ＊ PN 结的接触电位差--—硅材料约为 0
8V，锗材料约为 0
* PN 结的单向导电性——-正偏导通，反偏截止
PN 结的伏安特性二
半导体二极管 *单向导电性---——-正向导通,反向截止
＊二极管伏安特性-—-—同ＰＮ结
*正向导通压降——————硅管 0
7V，锗管 0
＊死区电压--—-——硅管 0
5V，锗管 0
分析方法-—-———将二极管断开,分析二极管两端电位的高低：若 V 阳 〉V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路）；若 V 阳 〈V 阴( 反偏 ),二极管截止（开路）
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q
2） 等效电路法直流等效电路法 ＊总的解题手段-——-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V 阳 〉V 阴( 正偏 ），二极管导通（短路)；若 V 阳
