第一章半导体二极管一。半导体的基础知识1。半导体-—-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅 Si、锗 Ge）。2。特性-——光敏、热敏和掺杂特性.3.本征半导体————纯净的具有单晶体结构的半导体。4。 两种载流子————带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5。杂质半导体——--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性。 ＊P 型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子）。 ＊N 型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子,少子是空穴）。6。 杂质半导体的特性＊载流子的浓度——-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻———通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。＊转型———通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7。 PN 结 ＊ PN 结的接触电位差--—硅材料约为 0。6~0。8V，锗材料约为 0.2~0。3V. * PN 结的单向导电性——-正偏导通，反偏截止. 8. PN 结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性---——-正向导通,反向截止。 ＊二极管伏安特性-—-—同ＰＮ结. *正向导通压降——————硅管 0。6~0。7V，锗管 0。2~0。3V。 ＊死区电压--—-——硅管 0。5V，锗管 0。1V。3.分析方法-—-———将二极管断开,分析二极管两端电位的高低：若 V 阳 〉V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路）；若 V 阳 〈V 阴( 反偏 ),二极管截止（开路）。1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q。2） 等效电路法直流等效电路法 ＊总的解题手段-——-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V 阳 〉V 阴( 正偏 ），二极管导通（短路)；若 V 阳
