半导体化学清洗总结

半导体化学清洗总结CompanyDocumentnumber:WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998化学清洗总结① 自然氧化膜约厚，其与 NH40H、H2；② Si02 的腐蚀速度随 NH40H 的浓度升高而加快；③ Si 的腐蚀速度，随 NH40H 的浓度升高而快当，；④ NH40H 促进腐蚀，H2O2 阻碍腐蚀；⑤若H2O2 的浓度一定，NH40H 浓度越低，颗粒各洗液的清洗说明SC-1 洗液硅片表面由于 H2O2 氧化作用生成氧化膜（约 6mm 呈亲水性），该氧化膜又被 NH40H 腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。① 自然氧化膜约厚，其与 NH40H、H2O2 浓度及清洗液温度无关。② SiO2 的腐蚀速度随 NH4OH 的浓度升高而加快，其与 H2O2 的浓度无关。③ Si 的腐蚀速度，随 NH40H 的浓度升高而快当，到达某一浓度后为一定值，H202 浓度越高这一值越小。④ NH40H 促进腐蚀，H2O2 阻碍腐蚀。⑤ 若 H2O2 的浓度一定，NH40H 浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低 H2O2 浓度可抑制颗粒的去除率的下降。⑥ 随着清洗液温度升高，颗粒去除率也提高在一定温度下可达最大值。⑦ 颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。⑧ 超声波清洗时由于空化现象只能去除上 Um 颗粒。兆声清洗时由于的加速度作用能去除^Um 颗粒，即使液温下降到 40°C 也能得到与 80°C 超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声清洗对晶片产生损伤。⑨ 在清洗液中硅表面为负电位有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。① 由于硅表面氧化和腐蚀，硅片表面的金属杂质，随腐蚀层而进入清洗液中。② 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上。如:Al、Fe、Zn 等便易附着在自然氧化膜上而 Ni、Cu 则不易附着。③ Fe、Zn、Ni、Cu 的氢氧化物在高 pH 值清洗液中是不可溶的有时会附着在自然氧化膜上。④清洗后硅表面的金属浓度取决于清洗液中的金属浓度。其吸附速度与清洗液中的金属络合离子的形态无关。⑤ 清洗时，硅表面的金属的脱附速度与吸附速度因各金属元素的不同而不同。特别是对Al、Fe、Zn。若清洗液中这些元素浓度不是非常低的话清洗后的硅片表面的金属浓度便不能下降。对此在选用化学试剂时按要求特...