1半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一)一、选择题1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以(A)导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以(E)导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以(C)导电为主。A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子2、受主杂质电离后向半导体提供(B)，施主杂质电离后向半导体提供(C)，本征激发向半导体提供(A)。A、电子和空穴 B、空穴 C、电子3、电子是带(B)电的(E);空穴是带(A)电的(D)粒子。A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子4、当 Au 掺入 Si 中时，它是(B)能级，在半导体中起的是(D)的作用；当 B 掺入 Si 中时，它是(C)能级，在半导体中起的是(A)的作用。A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱5、MIS 结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型(A)。1A、相同 B、不同 C、无关6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是(B)。A、变大，变小；B、变小，变大;C、变小，变小；D、变大，变大。7、砷有效的陷阱中心位置(B)A、靠近禁带中央 B、靠近费米能级8、在热力学温度零度时，能量比 EF 小的量子态被电子占据的概率为(D)，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF 小的量子态被电子占据的概率为(A)。A、大于 1/2B、小于 1/2C、等于 1/2D、等于 1E、等于 09、如图所示的 P 型半导体 MIS 结构的 C-V 特性图中,AB段代表(A)，CD 段代表(B)。A、多子积累 B、多子耗尽C、少子反型 D、平带状态10、金属和半导体接触分为：(B)。A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触1C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止 t??后，其中非平衡载流子将衰减为原来的(A)。A、1/eB、1/2C、0D、2/e12、载流子在电场作用下的运动为(A)，由于浓度差引起的运动为(B)。A、漂移运动 B、扩散运动 C、热运动13、锗的晶格结构和能带结构分别是(C)。A、金刚石型和直接禁带型 B、闪锌矿型和直接禁带型C、金刚石型和间接禁带型 D、闪锌矿型和间接禁带型14、非简并半导体是指(A)的半导体。A、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度B、用费米分布计算载流子浓度15、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的...
