项目名称： 表面等离子体超分辨成像光刻基础研究首席科学家： 罗先刚 中国科学院光电技术研究所起止年限： 2011.1 至 2015.8依托部门： 中国科学院二、预期目标3.1 本项目总体目标本项目以国家在国民经济和国防高科技领域对信息科学技术中新一代微纳信息器件的重大需求为牵引，研究 SP 超衍射光刻中的关键基本物理问题，结合我国中长期科技战略发展规划中的“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”和“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”两个重大专项对微纳制造技术的重大战略需求，重点针对 SP 超分辨成像光刻技术中若干关键科学技术问题（比如衍射极限问题、分辨极限问题、感光机制问题、损耗问题、SP 超分辨成像器件设计、制备技术、工艺技术等）开展系统研究，并取得原创性成果，作出系统性和创新性贡献，建立相应的研究基地和人才队伍，形成具有核心自主知识产权的 SP 光刻技术平台。通过本项目研究，使我国在 SP 超分辨成像光刻理论、技术和应用方面，总体达到国际先进水平，部分方面处于国际领先地位，力争形成新一代光学光刻技术路线，为采用光学方法突破 16nm、甚至 10nm以下光刻线宽节点奠定基础。1.建立 SP 超衍射和超分辨成像理论和技术体系，为 16nm 线宽节点以下光学光刻技术奠定理论和方法基础。2.形成 SP 光刻技术平台和技术标准草案，在 SP 光刻分辨力极限、SP 感光机理、损耗及能量利用率、焦深等关键问题研究方面取得突破。3.培养一支该领域高水平研究人才队伍和一批学术带头人，建立 SP 超分辨成像实验平台与超衍射光学光刻技术研究基地，为未来 5～10 年研发 16nm 线宽节点以下的超分辨成像光刻器件和系统奠定理论和技术基础。 3.2 五年预期目标：1.得到 SP 超分辨成像理论模型，建立超衍射与衍射受限光学成像一体化设计和分析方法并构建相关软件。2.建立 SP 超分辨光刻感光机理模型，并用于研究对比度、焦深、工作距等关键 SP 光学光刻工艺理论和技术。3.获得两项标志性成果。（1）在 365nm 波长条件下，获得 32nm 线宽分辨力 SP 超分辨成像器件；（2）制作特征尺寸为 32nm 的光栅、NEFO 字符等集成电路常用典型图形结构。4.综合考虑衍射受限成像、超衍射成像和光刻过程，获得 16nm 线宽分辨力的 SP 光学成像设计结果。5.发表高水平 SCI 论文 100 篇以上，申请发明专利 100 项以上，培养研究生 65 名左右。三、研究方案4.1 总体思路瞄准信息产业...
