电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移2. 在 PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程为（ ） A. B. C. D. 4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。A. ID = 0 B. ID < IZ且 ID > IZM C. IZ > ID > IZM D. IZ < ID < IZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。A B C D 11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。A. 直流，相同，相同 B. 沟通，相同，相同C. 直流，不同，不同 D. 沟通，不同，不同12. 在 25 Cº 时，某二极管的死区电压 Uth≈，反向饱和电流 IS≈，则在 35 Cº 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。A Uth≈，IS≈ B Uth≈，IS≈C Uth≈，IS≈ D Uth≈，IS≈二、推断题1. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ）2. 二极管在工作电流大于最大整流电流 IF时会损坏。 （ ）3. 二极管在工作频率大于最高工作频率 fM时会损坏。 （ ）4. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压 URM时会损坏。 （ ）5. 在 N 型半导体中假如掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。 （ ）6. 因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）7. 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ）三、填空题1. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电流 ，二极管反...
