画版图时常见错误及注意事项一、金属线宽及间距这是画版图时很容易犯的错误，以下是每层金属走线的最小线宽及同层金属不同线条之间的最小距离（二者相同）：M1 M2 M3 M4 二、DRC 常见错误及解决方法 DRC 即设计规则检查，是对 IC 版图做几何空间检查，以确保线路能够被特定加工工艺实现。问题描述解决办法建议Min. M1 area < Minimum area of M1 region ≥版图连线未完成之前由于端口悬空产生的错误，先不用理会，完成之后，自动消逝Min. different potential NWEL space >保持不同电位的 N阱之间的最小距离为尽量避开把两个衬底电位不相同的管子放一起Min. same potential NWEL space > 保持相同电位的 N阱之间的最小距离为NP space >(NP：N+ S/D Implantatiaon)保持两个 N 管 N+注入区最小距离（对应的 Layer name 为 NIMP 层）PP space >(PP：P+ S/D Implantatiaon)保持两个 P 管 P+注入区最小距离（对应 PIMP 层）VIA3 must be x 通孔的大小由默认值决定，不能更改 { @ Min. space between two VTM_N regions < }保 持 两 个 器 件 的VTM_N 层间距>=同样是距离的问题，这是中阈值管相对其它管子多出的一层掩模层A bent PO region is not allowed in VTM_N region用 POLY 做连接时POLY 的宽度必须与管子的栅长相等直接用 POLY 连接两个器件的栅时，首先必须保证两个器件的栅长相等！@ Any point inside NMOS source/drain space to the nearest PW STRAP in the same PW <= 30 um@ Any point inside PMOS source/drain space to the nearest NW STRAP in the same NW <= 30 um对相应的器件打阱即可Min. NTAP by NP< with PWLL<在 通 孔 周 围 画 N阱，使得 N 阱到扩散区的距离>=这 是 在 自 动 生 成M1_NWELL contact 时产生的错误，是由于自 动 生 成 的 contact的扩散区到 NWELL 的距离小于上面的错误大多是距离的问题，有时这些要求满足了，还会出现一些问题，这时就要考虑是不是器件选用的错误。三、天线效应检测 天线效应检测也属于 DRC 检测，只不过所用规则文件不同。Attention： 1）开始布局时，不要为了节约面积而把器件放置的过于紧密（主要是注意两个不同电位 N 阱之间的距离，根据情况可以把这样的管子分开放置），尽量把 N 管和 P 管分开。2）PMOS 管间距的...
