第一篇习题 半导体中得电子状态1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发得载流子越多，为什么？试定性说明之。1-2、 试定性说明 Ge、Si 得禁带宽度具有负温度系数得原因。1-3、 试指出空穴得主要特征。1-4、简述 Ge、Si 与 GaAS 得能带结构得主要特征。1-5、某一维晶体得电子能带为其中 E0=3eV，晶格常数 a=5х10-11m。求：（1） 能带宽度；（2） 能带底与能带顶得有效质量。第一篇题解 半导体中得电子状态刘诺 编1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够得能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子得过程就就是本征激发。其结果就是在半导体中出现成对得电子-空穴对。假如温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需得能量变小，将会有更多得电子被激发到导带中。1-2、 解：电子得共有化运动导致孤立原子得能级形成能带，即允带与禁带。温度升高，则电子得共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间得禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。 因此，Ge、Si 得禁带宽度具有负温度系数。1-3、 解： 空穴就是未被电子占据得空量子态，被用来描述半满带中得大量电子得集体运动状态，就是准粒子。主要特征如下：A、荷正电：+q；B、空穴浓度表示为 p（电子浓度表示为 n）；C、EP=-EnD、mP*=-mn*。1-4、 解：（1） Ge、Si: a）Eg (Si：0K) = 1、21eV；Eg (Ge：0K) = 1、170eV； b）间接能隙结构c）禁带宽度 Eg随温度增加而减小； （2） GaAs： a）Eg（300K）第二篇 习题-半导体中得杂质与缺陷能级刘诺 编2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之 ，并用能带图表征出 n 型半导体。2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之 ，并用能带图表征出 p 型半导体。2-4、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体得导电性能得影响。2-5、两性杂质与其它杂质有何异同？2-6、深能级杂质与浅能级杂质对半导体有何影响？2-7、何谓杂质补偿？杂质补偿得意义何在？第二篇 题解 半导体中得杂质与缺陷能级刘诺 编2-1、解：浅能级杂质就是指其杂质电离能远小于本征半导体得禁带宽度得杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）得离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。2-2、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电...
