第一篇习题 半导体中得电子状态1-1、 什么叫本征激发
温度越高，本征激发得载流子越多，为什么
试定性说明之
1-2、 试定性说明 Ge、Si 得禁带宽度具有负温度系数得原因
1-3、 试指出空穴得主要特征
1-4、简述 Ge、Si 与 GaAS 得能带结构得主要特征
1-5、某一维晶体得电子能带为其中 E0=3eV，晶格常数 a=5х10-11m
求：（1） 能带宽度；（2） 能带底与能带顶得有效质量
第一篇题解 半导体中得电子状态刘诺 编1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够得能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子得过程就就是本征激发
其结果就是在半导体中出现成对得电子-空穴对
假如温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需得能量变小，将会有更多得电子被激发到导带中
1-2、 解：电子得共有化运动导致孤立原子得能级形成能带，即允带与禁带
温度升高，则电子得共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间得禁带相对变窄
反之，温度降低，将导致禁带变宽
因此，Ge、Si 得禁带宽度具有负温度系数
1-3、 解： 空穴就是未被电子占据得空量子态，被用来描述半满带中得大量电子得集体运动状态，就是准粒子
主要特征如下：A、荷正电：+q；B、空穴浓度表示为 p（电子浓度表示为 n）；C、EP=-EnD、mP*=-mn*
1-4、 解：（1） Ge、Si: a）Eg (Si：0K) = 1、21eV；Eg (Ge：0K) = 1、170eV； b）间接能隙结构c）禁带宽度 Eg随温度增加而减小； （2） GaAs： a）Eg（300K）第二篇 习题-半导体中得杂质与缺陷能级刘诺 编2-1、什么叫浅能级杂质
它们电离后有何特点
2-2、什么叫施主
什么叫施主电离
施主电离前后有何特征
试举例说明之 ，并用能带图表征出 n 型半导体
2-3、什么叫受主
