清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识自测题 一、(１）√ (2）× (３)√ （４)× （５）√ (６)× 二、(1)A (２）Ｃ (３）Ｃ (4)B （５）Ａ C三、UO1≈1、３ V UO2=０ ＵＯ 3≈－1、3V ＵＯ４≈2V UO5≈２、3 Ｖ UO6≈-2V四、UO1＝６ V U Ｏ 2=5V五、根据 P Ｃ M＝200mW 可得：Ｕ C Ｅ=４０ V 时 IC＝5mA，UCE=30V 时 IC≈6、６7mA,UCE＝2 ０ V 时 IC＝10mA,UC Ｅ＝10V 时 IC=20mA，将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。六、１、 UO＝U Ｃ E=2 Ｖ。2、临界饱与时 UCES＝Ｕ BE＝０、7V,所以 七、T １:恒流区；T2:夹断区;T3:可变电阻区。习题1、1(1)A C (2）Ａ (３)Ｃ (4)A１、2 不能。因为二极管得正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为 1、３ V 时管子会因电流过大而烧坏。 1、3 u ｉ与 uo得波形如图所示。 １、4 ui与 u ｏ得波形如图所示。tuOi/V53-3tuOO/V3.7-3.7 1、５ uo得波形如图所示。 1、6 ID=(V－UD)/R＝2、6 ｍ A,ｒ D≈UT/Ｉ D＝1 ０ Ω,Id=Ui／ｒ D≈1mA。 1、7 (1)两只稳压管串联时可得 1、4V、6、7 Ｖ、8、7V 与 14V 等四种稳压值。 (2）两只稳压管并联时可得 0、７ V 与 6V 等两种稳压值。 1、８ Ｉ ZM=PZM/U Ｚ＝25m Ａ，R=UZ／IDZ＝0、24~１、２ｋ Ω。 1、9 (1)当 UI=10 Ｖ时,若 U Ｏ=U Ｚ＝６Ｖ,则稳压管得电流为 4m Ａ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 当 UI＝15 Ｖ时,由于上述同样得原因,UO=5V。 当 UI＝３ 5V 时,UO＝UZ=５Ｖ。 （2)29 ｍ A＞IZM=25 ｍ A,稳压管将因功耗过大而损坏。 1、１ 0 (１)S 闭合。 (２） 1、1 １ 波形如图所示。 1、1 ２ 60℃时 I ＣＢ O≈３２ μ Ａ。 1、13 选用 β＝１ 00、Ｉ CBO＝10μ Ａ得管子,其温度稳定性好。 1、１ 4 １、１５ 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号T １T ２T3T4T ５T6上ecｅbｃb中bｂbeee下ｃecｃbc管型PNPNPNNP ＮPNPP Ｎ PNPN材料Ｓ iＳｉＳ iGeGeGe 1、16 当 VBB=0 时,T 截止,ｕ O＝１ 2 Ｖ。当 V Ｂ B=１Ｖ时,Ｔ处于放大状态。因为tuOI1/V30.3tuOI2 /V30.3tuOO/V3.71当 VBB＝3 Ｖ时,T 处于饱与状态。因为1、17 取 UCE Ｓ＝U Ｂ E，若管子饱与,则 1、1 ８ 当 u Ｉ=0 时，晶体管截止,稳压管击穿，uO＝－UZ＝-5V。 当ｕＩ=-5V 时，晶体管饱与,uO=０、1 Ｖ。因为...