第一章半导体二极管一、半导体得基础知识1、半导体---导电能力介于导体与绝缘体之间得物质(如硅Si、锗 Ge)。2、特性---光敏、热敏与掺杂特性。3、本征半导体----纯净得具有单晶体结构得半导体。 4、 两种载流子 ----带有正、负电荷得可移动得空穴与电子统称为载流子。 5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成得半导体。体现得就是半导体得掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量得三价元素(多子就是空穴,少子就是电子)。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量得五价元素(多子就是电子,少子就是空穴)。6、 杂质半导体得特性 *载流子得浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身得电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7、 PN 结 * PN 结得接触电位差---硅材料约为 0、6~0、8V,锗材料约为 0、2~0、3V。 * PN 结得单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8、 PN 结得伏安特性二、 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管 0、6~0、7V,锗管 0、2~0、3V。 *死区电压------硅管 0、5V,锗管 0、1V。3、分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位得高低: 若 V 阳 >V 阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V 阳 V 阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V 阳