半导体物理学试题及答案(6页)Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、 选择题 1、 假如半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;假如半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;假如半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。 A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子 2、 受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。 A、 电子和空穴 B、 空穴 C、 电子 3、 电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。 A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子 4、 当 Au 掺入 Si 中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当 B 掺入 Si 中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。 A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱 5、 MIS 结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。 A、 相同 B、 不同 C、 无关 6、 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。 A、变大，变小 ;B、变小，变大;C、变小，变小; D、变大，变大。 7、 砷有效的陷阱中心位置(B ) A、 靠近禁带中央 B、 靠近费米能级 8、 在热力学温度零度时，能量比 EF 小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比 EF 小的量子态被电子占据的概率为( A )。 A、 大于 1/2 B、 小于 1/2 C、 等于 1/2 D、 等于 1 E、 等于 0 9、 如图所示的 P 型半导体 MIS 结构的 C-V 特性图中，AB 段代表( A)，CD 段代表( B )。 A、 多子积累 B、 多子耗尽 C、 少子反型 D、 平带状态 10、 金属和半导体接触分为：( B )。 A、 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B、 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C、 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D、 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 11、 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止 t??后，其中非平衡载流子将衰减为原来的( A )。 A、 1/e B、 1/2 C、 0 D、 2/e 12、 载流子在电场作用下的运动为( A )，由于浓度差引...
