变 频 器 讲 义第一章:变频调速基础知识１）关于调速 n=60f/p（1-s）ｐ——－变极调速 特点:有级调速,系统简单，最多４段速s--－调压调速、转子串电阻调速 特点：无级调速，调速范围窄电机最大出力能力下降,效率低，系统简单，性能较差。f—－－变频调速 特点:真正无级调速,调速范围宽,电机最大出力能力不变,效率高，系统复杂，性能好,可以与直流调速系统相媲美。２）变频技术沟通变频就是强弱电混合综合性技术,既要处理大电能得转换（整流、逆变），又要处理信息得收集、变换与传输，因此它得技术分成功率转换与弱电控制两大部分。前者要解决与高压大电流变流技术有关得问题与新型电力电子器件得应用技术问题，后者要解决基于现代控制理论得控制策略与智能控制策略得硬、软件开发问题，目前广泛应用得就是全数字控制技术. 变频器得控制对象：三相沟通异步电机与三相沟通同步电机，标准适配电机极数就是２/4 极。3)变频调速得进展历程 Ｐ 7大功率半导体技术：7 ０年代：可控硅(SCR: Si ｌ ic ｏ n Co ｎｔ rolled Re ｃtifier)就是可控硅整流器得简称，也称晶闸管。可控硅有单向、双向、可关断与光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,被广泛用于可控整流、逆变以及无触点开关等各种自动控制与大功率得电能转换得场合. 单向可控硅用于直流电路，也就是可控整流电子元件（相当于可控制输出得二极管）；双向可控硅可用于交、直流电路。 ＧＴ R 就是三极管得一种，Giant T ｒ ansistor,巨型晶体管由于可工作在高电压、高电流下，也称电力晶体管。ﻫ Ｂ J Ｔ 也就是三极管得一种,Bipolar Juncti ｏ n Tｒ ans ｉ stor，双极型面接触晶体管。8 ０年代以后：I Ｇ BT（I ｎ s ｕ late ｄ Ｇａ te Ｂ ip ｏ lar Traｎ sistor),绝缘栅双极型晶体管，就是由 BJT（双极型三极管)与MOS（绝缘栅型场效应管）组成得复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有 MOSF Ｅ T 得高输入阻抗与Ｇ T Ｒ得低导通压降两方面得优点.GT Ｒ饱与压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MO Ｓ FET 驱动功率很小，开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件得优点,驱动功率小而饱与压降低。非常适合应用于直流电压为 600 Ｖ及以上得变流系统如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 脉冲宽度调制技术：PWM （Ｐｕ lse W ｉｄ t ...
