SiC 晶金属陶瓷复合涂层制备技术的讨论SiC 晶金属陶瓷复合涂层制备技术的讨论 【摘要】随着科学技术与制造技术日新月异的进展,氧化铝陶瓷在现代工业中得到了深化的进展和广泛的应用。本文介绍了 SiC晶金属陶瓷在各个讨论领域的应用及其制备工艺,以 SiC 晶金属陶瓷性能为基础,综述了它在所应用领域的进展状况。采纳泥浆预涂层反应法在 C/SiC 复合材料表面制备 Si/SiC 涂层。通过理论计算和实验确定了制备致密不开裂涂层的泥浆配比；讨论了埋粉烧结和气相硅真空反应烧结 2 种不同烧结气氛对 Si/SiC 涂层微观形貌和成分的影响；分析了不同涂层的工艺过程、工艺特点、性能以及优缺点，提出了高温反应合成涂层技术存在的问题，展望了讨论进展方向。 【关键词】SiC 涂层，金属陶瓷，复合涂层 中图分类号：TU74 文献标识码：A 文章编号： 一.前言 高新技术和工业现代化的持续高速进展使得各种机械零件的工作条件日益苛刻。由于零部件的破坏往往从表面开始,表面的局部破坏又会导致零件的整体失效,因此, C/C 和 SiC 复合材料具有诸多优异的高温性能,如高温稳定性、较高温度下低的线膨胀系数、强度随温度升高而增加、摩擦系数稳定等,在航天、化工、冶金、交通和机械工业等领域备受青睐采纳包埋法在 C/C 复合材料表面制备了 SiC高温防氧化涂层。涂层主要由 β-SiC 和少量的游离 Si 组成,涂层表面有裂纹存在,涂层与 C/C 和 SiC 复合材料基体结合良好,呈现犬牙状结合, 在 SiC 晶金属陶瓷复合涂层制备技术方面得到了完美体现。 二.SiC 晶金属陶瓷复合涂层 采纳料浆法在 C/C 复合材料 siC 内涂层表面制备出分别适用于900℃、1300℃和 1500℃长期防氧化的陶瓷外涂层。当 siC 内层为采纳两步包埋法制备的致密涂层时，适用于 900℃的 siC/陶瓷涂层具有较好的防氧化性能，涂层试件在 900℃静态空气中氧化 100 小时后失重率仅为 0.14%， 涂层在试件在氧化过程中表现为微量失重的主要原因是陶瓷涂层在氧化温度下的缓慢挥发。陶瓷的涂层适用 1400℃左右的防氧化陶瓷密封层结构为 MOSIZ 相分散于硼硅酸盐玻璃相之中。而且该涂层具有非常好的的抗氧化性能和抗热震性能的特点，在 1400℃左右的静态空气中氧化中放置 160 小时和经 19 次 1400℃。室温急冷急热循环后，涂层试样的氧化失重率可能达到仅仅的 2.16%。 因为氧通过涂层中的裂纹扩散至基体表面而氧化基体涂层试件的氧化是主要原因，以及部分区域...
