单级低频电压放大电路

东南大学电工电子实验中心实 验 报 告课程名称： 电子电路实践 第 三 次实验实验名称： 单极低频电压放大电路（基础） 院 （系）： 自动化 专 业： 自动化 姓 名： 学 号： 实 验 室: 101 实验组别： 同组人员： 实验时间： 2025 年 4 月 17 日 评定成绩： 批阅老师： 实验三 单级低频电压放大电路（基础）一、实验目的1、 掌握单级放大电路的工程估算、安装和调试；2、 了解三极管各项基本器件参数、工作点、偏置电路、输入阻抗、输出阻抗、增益、幅频特性等的基本概念以及测量方法；3、 掌握基本的模拟电路的故障检查和排除方法，深化示波器、稳压电源 、沟通电压表、函数发生器的使用技能训练。二、实验原理1、 对于上图中的偏置电路，只有 R2支路中的电流 I1>>IBQ时，才能保证 VBQ恒定实现自动稳定工作点的作用，所以工程中一般取：（硅管）（锗管）2、 为了提高电路的稳定性，一般要求 VBQ>>VBE，工程中一般取 VBQ=(5~10)VBE，即 VBQ=(3～5)V（硅管），VBQ=(1～3)V（锗管）3、 电路的静态工作点电流 由于是小信号放大，所以 ICQ一般取 0.5~2mA4、 ICQ确定后通过以下公式可计算 R1和 R2的值： 5、 沟通电压放大倍数6、 沟通输入阻抗7、 沟通输出阻抗三、预习思考1、 器件资料：上网查询本实验所用的三极管 9013 的数据手册，画出三极管封装示意图，标出每个管脚的名称，将相关参数值填入下表：三极管:将其扁平的一面正对自己，管脚朝下，则从左至右三个管脚依次为 e,b,c参数符号参数值参数意义及设计时应该如何考虑VCBO<40V发射极开路时，集电极‐基极的之间的反向击穿电压，是集电结所允许加的最高反向电压VCEO<30V基极开路时，集电极‐发射极之间的反向击穿电压，此时集电结承受反向电压VEBO<5V集电极开路时，发射极‐基极之间的反向电压，是发射结所允许加的最高反向电压IC<500mA 最大集电极电流，使β值明显减小的IC为ICM IE<‐500mA最大发射极电流，使 β 值明显减小的 IE 为 IEMhFE96~246直流增益,共射直流电流系数为 Ic/IbVCE(sat)0.1(T)<0.25(MAX)V集电极‐发射极饱和电压VBE0.8(T)<1(MAX)V基极‐发射极电压fT>140(MIN)MHZ晶体管频率,特征频率，使 β 值下降到 1 的信号频率称为特征频率2、 偏置电路：教材图 1-3 中偏置电路的名称是什么，简单解释是如何自动调节 BJT 的电流 IC以实现稳定直流工作点的作用的，假如 R1 、R2取得过大能否再起到稳定...