Crystal 迴路調查流程規範相關測試儀器:Agilent Oscilloscope 54610B 500MHz x1 set HP Counter 53131A 225MHz x1 setTektronix 1103 Tekprobe Power Supply x1 setTektronix P6243 電壓探棒 x1 setLecroy PP006A 電壓探棒 x1 setTektronix AC Current Probe P6022 x1 set250B 網路分析儀 x1 set振盪迴路:Rf ： 迴授電阻Rd ： 限流電阻Cg . Cd ： 旁路電容迴路調查流程 步驟如下 : 1. 確認所量測之基板週邊設備是否齊全（ex： POWER，開關器，記憶體,硬碟….。)2. 初測基板 Crystal 是否正常起振3. Crystal 本體測試（使用 S&A 250B 設備） 4. 依迴路圖確認基板之旁路電容和電阻數值.5. IC 輸出/入端確認， 以 IC 輸出端做為量測點輸出端的辨識方式：一. IC 本身的 Output二. Rd 端三. 計頻器量測頻率大為 Output,頻率小為 Input，但須在 Cd 與 Cg 容值相同時。6. 測量 Fs(機板實際頻率偏移量） Fs （ ppm＝FLL(機板實測 Freq.) – Fo（中心 Freq)－ FL(250B 量測之頻率變化率 FL/ ppm Fo（中心 Freq）主動式探棒量測點量測點7. 測量-R（負性阻抗) —R=RS+RR RR: 量測晶體之實測 ESR 值在圖中的 Rs 連上純電阻,使與晶體串聯,一步步的增加電阻值，直到良好的震盪波形停止. 良好的震盪波形停止前的電阻值即為此線路的負性阻抗。藉由示波器確認 Buffer Output(晶體兩端)震動.可藉由溫度變化及供應電壓改變負性阻抗，故我們必須用冷卻噴劑及熱槍來改變溫度，同時必須一再的確認供應電壓是 ON 或OFF。註 1: 建議 —｜R| 〉 5＊CI ( 車載品建議 —｜R｜ 〉 10*CI )註 2： 不使用可變電阻控制, 因其包含雜散.8. 測量 DL使用電流探棒,測試晶體的電流值，可以獲得以下的值; DL=(I/2√2)^2*RR I : 流經晶體的電流 RR： 量測晶體之實測 ESR 值* 音叉晶體之 DL 測量方式在 Rs 位置接上 2。2K 的電阻，量測 A.B 兩點間的電位差可由下式獲得其值。 DL=（V/（2200＊2√2）)^2＊RR V ： A.B 兩點間的電位差 RR: 量測晶體之實測 ESR 值 9。 CL 計算方法如下： CL =C1 ＊ Fr－C0Fr: 量測晶體之實測 FR 值FLL ： 機板迴路之實測頻率值C0: 量測晶體之實測 C0 值C1: 量測晶體之實測 C1 值Cs ： 機板迴路之雜散電容CL: 機板迴路之實際負載2（FLL-Fr)*1000Cs = CL－Cd * CgCd + CgABOutpu...
