半导体研究之内存产业VIP免费

第1页共14页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共14页記憶體產業DRAM─南科（2408）、力晶（5346）、茂德（5387）、茂矽（2342）、華邦（2344）、旺宏(2337)、晶豪科（3006）、鈺創（5351）、矽成(5473)、創見（2451）、勁永（6145）、品安（8088）、威剛（3260）結論：DRAM以往主要應用在PC領域，因此DRAM景氣循環與PC出貨成長率息息相關。然2003年下半年NANDFlash崛起讓全球DRAM產能出現板塊移轉效應，並進一步帶領DRAM廠商跨進消費性及通訊性市場，減弱DRAM產業大起大落之特性。2004年DRAM廠商資本資出金額達到110億美元，年成長率29%，大致回復到2000年水準值，而此次資本支出方向均在興建12吋晶圓廠，以此推估2005年下半年至2006年上半年為另一波12吋廠產能大量開出時間。韓國Samsung及國內廠商力晶、茂德於2001年開始興建12吋廠，2003年產能順利開出，成為此波DRAM景氣復甦最大贏家。2004年下半年，華亞半導體正式量產，年底月投片達24K，南科與Infineon各分一半產能，至此國內三家DRAM廠商均有12吋廠產能貢獻，台灣在DRAM生產成本優勢隱然浮現，預估2005年台灣DRAM廠商產能將佔全球20%以上。第2页共14页第1页共14页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共14页今年以來DRAM現貨價格表現優於預期，關鍵點在於2004年全球DRAM廠商正進行0.11微米製程移轉，由於Scanner由248nm改成193nm，對8吋廠而言面臨極限挑戰，對擁有較多8吋廠DRAM廠商相當不利，今年產能增加幅度均明顯低於預期，因此另一選擇為將8吋廠轉去生產NandFlash；此外，DDRII世代交替初期因良率及學習曲線仍不穩定，勢必有部分DRAM產能損耗，此兩點為供給面不利因素。至於2004年對記憶體龍頭廠商韓國Sansung而言可謂是引領風騷的一年，不管是DRAM微縮製程或NandFlash產能配置具有絕對主導權，亦讓Samsung龐大產能能做有效發揮，尤其在TFT-LCD殺價競爭下，Samsung將盡可能維持記憶體價格穩定，而台灣廠商在資金及技術雖不如Samsung，但卻成為最大受惠者。反觀Micron既無12吋廠，NandFlash技術又不如Samsung，因此在2004年DRAM產業復甦受惠最少。就景氣定位而言，2004年第二季DRAM價格出現飆升，景氣位置達到本波的高峰期，之後緩步下滑，研究員預估2005年第三季將是下一波景氣循環好轉期。個股評析：1.力晶：力晶為國內產能最大之DRAM廠商，目前12吋廠月投片量達40K滿載，8吋廠月投片量37K，80%以上從事晶圓代工業務，由於在產能配置方面得宜，力晶2004年第三季單季毛利率接近50%，成為全球獲利率最佳的DRAM廠，研究員預估2004年力晶EPS達5.6元。此外，力晶在技術移轉方面，0.11微米製程來自第3页共14页第2页共14页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第3页共14页Mitsubish，0.10微米以下製程技術來自Elpida，確保力晶未來幾年技術移轉無虞。就2005年而言，力晶第二座12吋晶圓廠將於第三季進入量產，可望帶動力晶另一波獲利成長動能。2.南科：南科目前擁有兩座8吋晶圓廠，由於8吋晶圓廠在轉0.11微米製程相當不易，因此南科在2004年產出增幅相當有限。然南科透過與Infineon合資興建華亞半導體於2004年第三季正式量產，2004年10月份單月投片量即達24K第一階段滿載，因此南科本身今年產出增幅雖有限，但第四季在華亞半導體一半產能貢獻下，預估第四季產出增加率將達30%，增幅相當可觀。研究員預估2004年南科EPS約2.4元，至於2005年華亞半導體年底單月投片量將邁向50K第二階段滿載，對南科逐季產出貢獻可觀。此外，南科具有台塑集團資源優勢，因此財務穩定度為國內三家DRAM廠之冠。壹、2004年全球DRAM廠商資本資出110億美元，YoY+29%，12吋晶圓廠為擴廠重點DRAM產業為高度資金密集產業，8吋晶圓廠設置約10億美元，進入12吋晶圓廠時代，一座晶圓廠設置更高達25億美元，因此DRAM廠商資本支出對12吋廠投資均相當謹慎。根據集邦科技統計資料，2004年全球DRAM廠商資本資出金額為110億美元，年成長率29%，就金額及成長率而言已接近2000年時的水準。由於此次資本支出重點均擺在12吋晶圓廠設置，推算2005年下半年至2006年第4页共14页...