第1页共9页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共9页第2页共9页第1页共9页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共9页目次969未来数据储存技术与硬盘的发展(续)976GaNHFET的性能退化985纳/微米ZnO同质结器件的制备及电子学特性研究第3页共9页第2页共9页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第3页共9页989纳米CMOS图像传感器及其在航空航天中的应用994四针状ZnO晶须(T-ZnO)的掺杂及其气敏特性研究1000多孔阳极氧化铝模板的制备1004数字化微混合反应器的研究1008微尺度通道中可压缩气体三维流动的数值分析1012机械手细胞微注射的深度提取及图像数据处理1017铝合金CMP技术分析研究1021金刚石膜电极电化清洗中pH值的影响1026脑电信号检测用的含工频陷波OTA-C低通滤波器第4页共9页第3页共9页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第4页共9页未来数据储存技术与硬盘的发展(续)张邦维（湖南大学应用物理系，长沙410082）GaNHFET的性能退化薛舫时（南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京210016）摘要：在综述大功率AlGaN/GaNHFET性能退化实验结果的基础上，研究了器件退化与电流崩塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和不足之处。通过沟道中强电场和热电子分布的研究，完善了热电子触发产生缺陷陷阱的器件退化模型。使用这一模型解释了实验中观察到的各类性能退化现象，指出优化设计异质结构可以有效减弱GaNHFET的性能退化。最后提出减弱器件性能退化的方法和途径。关键词：GaNHFET；性能退化；退化机理；沟道中的强场峰；热电子；能带剪裁；极化电荷；电流崩塌纳/微米ZnO同质结器件的制备及电子学特性研究曹璐，李梦轲，魏强，张威（辽宁师范大学物理与电子技术学院，辽宁大连，116029）第5页共9页第4页共9页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第5页共9页摘要：用低压化学气相沉积法制备了Ｔ形和Ｖ形纳/微米ZnO同质结，用扫描电子显微镜（SEM）和高倍光学成像显微镜观察了同质结的结构与生长形貌，分析了其结构及生长机理。利用ZnO同质结组装成了纳/微米ZnO同质结器件，分析研究了这些器件的I?鄄V特性，并对I?鄄V特性变化规律进行了分析讨论。关键词：ZnO同质结；器件；电子学特性纳米CMOS图像传感器及其在航空航天中的应用李芹，蔡理，吴刚，王森（空军工程大学理学院，西安710051）摘要：随着超大规模集成技术的飞速发展，CMOS图像传感器已成为研究开发的热点。简要介绍和分析了基于非平衡格林函数、维格纳函数与密度矩阵、单粒子薛定谔方程的三种纳米CMOS器件的输运模型，并指出了各种模型的优缺点和适用对象；针对纳米CMOS图像传感器面临的关键技术问题，给出了相应的解决方法；讨论了纳米CMOS图像传感器在航空航天中的应用。关键词：纳米CMOS器件；图像传感器；电荷耦合器件；航空航天四针状ZnO晶须(T-ZnO)的掺杂及其气敏特性研究李艳霞，王凯，周祚万（西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室，成都610031）摘要：采用高温固溶工艺制备了Al3+，Fe3+和Ag+掺杂的T-ZnO气敏材料，并制作了烧结型厚膜气敏元件，测试了元件对H2S，NH3，C2H5OH和H2的敏感特性，研究了掺杂剂、掺杂工艺和材第6页共9页第5页共9页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第6页共9页料形貌结构对T-ZnO材料气敏特性的影响规律。结果显示，T-ZnO材料对H2S和C2H5OH气体灵敏度较高，对H2和NH3等气体灵敏度较差；经过H2气氛热处理，掺物质的量百分数为0.1%Al3+的T-ZnO对气体表现出很高的灵敏度，在268.5℃时，对体积分数为10-4的H2S的灵敏度达160；同时，Al3+掺杂工艺改善了材料对H2S和C2H5OH的恢复-响应特性。在Fe3+掺杂ZnO样品中，出现第二相（ZnFe2O4）可以提高对气体的灵敏度。关键词：四针状氧化锌晶须；掺杂；气敏特性多孔阳极氧化铝模板的制备付承菊1，李杰2，郭冬云3（1.武汉理工大学材料科学与工程学院，武汉430070；2．重庆科技学院机械工程学院，重庆400050；3.武汉大学物理科...
