单晶硅生产废水处理站的改扩建_secretVIP免费

单晶硅生产废水处理站的改扩建摘要：本文介绍了某单晶硅生产过程中各工序产生废水的水量,水质及性质情况,并原废水处理站存在的问题进行分析.在原废水处理站的基础上,对改扩建后的废水进行处理.采用生铁屑和焦炭组成微电解氧化还原塔,作为单晶硅生产废水处理的预处理,取得较好的效果.关键字：单晶硅废水治理微电解氧化还原塔1概述某单晶硅厂由于引进6英寸单晶硅抛光生产线,该生产线投产后,废水排放量将大大的增加.现有的废水处理站的处理能力已不能满中要求.加之原处理站的处理较果不稳定.因此必须进行治理.因此在原有设施的基础上对废水处理站进行改造.2执行标准执行标准GB8978-1996<污水综合排放标准>一级.即PH=6-9.COD≦100mg/SS≦70mg/l3现废水处理站的现状3.1现废水处理站接纳废水的水质及水量现废水处理站接纳三个部位的废水,经均化调节后进行处理.废水的来源水质.水量见表废水来源及水质水量废水来源水量(m3/d)水质PHCOD(mg/l)SS(mg/l)多晶硅600＜2300100--150切.磨.抛600--8006100--150200有机硅200＜3200--300100--150混合后1400--1600＜3200--250150--2003,1.1废水的特点废水产生的部门不同,其特点各异1.多晶硅废水:是三氯硅烷还原生成多晶硅过程中产生的尾气经水淋洗产生的.主要反应为:SiHCl3+H2---Si+HCl(产品反应)SiHCl3+H2O---SiO2+HCl(尾气淋洗)废水中主要物质为:SiO2.HCl硅醇及脱水成聚硅氧烷和硅酸,偏硅酸等.废呈强酸性,SiO2的粒径极小,大部分聚成团漂浮的水面.2.切.磨.抛废水来自三个工序:(1)切片工序主要为:粘石腊,冷却水等,废水中主要物质为:石腊,硅粉.(2)磨片工序的磨液成分为:洗液和肥皂制成浮液.废水中主要物质为:表面活性剂.硅粉.(3)抛光工序的抛光液的成分:环烷烃,废水中主要物质为:硅粉和烃类有机物.三种废水混合中灰色有乳状体.3.有机硅废水是:由氯丙烷在铂酸作催化剂的条件下,与三氯硅烷加成反应生成氯丙基三氯硅烷然后经粗精馏后产生的残液和氯丙烯瓶中的残液,用水冲洗产生的,废水中主要物质为:三氯硅烷,氯丙烷和HCl.氯丙烷和HCl的来源是氯丙烯水解产生的,故废水呈酸性,反应式为:CH2=CH-CH-CH2Cl+H2O----CH2=CH-CH2-OH=H2O三部分废水混合后,废水呈酸性,灰的色乳状有降低(强酸有一定的破乳性),但有胶体存在,主要是硅酸,偏硅酸和硅醇分子间脱水聚缩而成聚硅氧烷引起的.3.2处理工艺流程及出水水质3,2.1处理工艺流程3.2.2,出水水质废水经过上述工艺流程处理的出水水质为:PH=6-9COD=100—160mg/lSS=40—60mg/lBOD值在5--10mg/l之间,有时为零,COD时常超标.3.3存在问题及分析3.3.1根据现废水处理站运行情况,存在问题1:石灰乳配制及投加不定,混合池混合不充分,混合效果差.2:药剂投加设施定量尾差,药剂消耗量大.3:COD出水超标,污泥量大.4:处理成本高,处理吨水仅药剂费用平均1元.3.3.2:COD超标分析根据出水水质分析,COD超标.而BOD值很低说明该废水的可生化性差,造成出水COD超标的原因是废水中存在多价态的无机物处在低价态和少量有机物所致,分析化验COD时加入氧化剂氧化有机物同时也氧化低态的无机物,故引起起废水中COD超标.4:改扩建后废水方案4.1:改扩建后废水水质,水量及处理规模4.1.1新增废水的水量,水质新增废水来源为切.磨.抛,清洗工序,其废水水量为1000m3/d,水质为:PH=6.COD=100--150mg/lSS=200mg/l4.1.2:改扩建后废水水质,水量废水总水量为:2000----2600m3/d,水质为:PH＜4.COD=200--250mg/lSS=200mg/l4.1.3处理规模设计处理能力:Q=150m3/h.4.2废水处理方案设计4.2.1废水处理方案设计的原则1先进行综合利用,减少排污量.2工艺先进合理,保证达标排放.3充分利用原有处理构筑物及设备,减少投资.4运行费用低,管理方便.4.2.2综合利用方案1白炭黒(SiO2)回收多晶硅废水是三氯硅烷还原生成多晶硅过程中产生的尾气经水淋洗产生的,废水中漂浮大量的白沫子,而白沫子就是白炭黒(SiO2).它的粒径很小属纳米级.它的产生过程基本上和气相法物产白炭黒相同.用水刚淋洗下来时漂浮水面,时间一长,周边湿润增加就会沉降或悬浮在水中.SiO2是常用的化工原料.回收的工艺为:按80%的回收率.每天可以减少SS排放量48--72kg/d,白炭黒(SiO2)每公斤约有6---10元.2对有机硅产生的残液,可以综...