数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案VIP免费

第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。（a）位（b）字节（c）字2．指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？（a）2K×8位（）（）（）（）（b）256×2位（）（）（）（）（c）1M×4位（）（）（）（）3．ROM是（）存储器。（a）非易失性（b）易失性（c）读/写（d）以字节组织的4．数据通过（）存储在存储器中。（a）读操作（b）启动操作（c）写操作（d）寻址操作5．RAM给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。（a）电源关闭（b）数据从该地址读出（c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c）6．具有256个地址的存储器有（）地址线。（a）２５６条（b）６条（c）8条（d）16条7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（）。（a）２５６×１位（b）２５６×８位（c）１Ｋ×４位（d）２Ｋ×１位第2页共18页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共18页答案：1．a2．（a）2048×8；2048；2048；8（b）512；256；256；2（c）1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；43．a4．c5．d6．c7．b8.2随机存取存储器（RAM）自测练习1.动态存储器（DRAM）存储单元是利用（）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（）存储信息的。2.为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（）操作。3.半导体存储器按读、写功能可分成（）和（）两大类。4.RAM电路通常由（）、（）和（）三部分组成。5.6116RAM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位。答案：1．栅极电容，触发器2．刷新3．只读存储器，读/写存储器4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路5．11，8，2K×8位8.3只读存储器（ROM）自测练习1．ROM可分为（）、（）、（）和（）几种类型。第3页共18页第2页共18页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第3页共18页2．ROM只读存储器的电路结构中包含（）、（）和（）共三个组成部分。3．若将存储器的地址输入作为（），将数据输出作为（），则存储器可实现组合逻辑电路的功能。4．掩膜ROM可实现的逻辑函数表达式形式是（）。5．28256型EEPROM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位，是以字节数据存储信息的。6．EPROM是利用（）擦除数据的，EEPROM是利用（）擦除数据的。7．PROM/EPROM/EEPROM分别代表（）。8．一个PROM/EPROM能写入（）（许多，一）次程序。9．存储器2732A是一个（）（EPROM，RAM）。10．在微机中，4种存储类型为（）。答案：1．ROM，PROM，EPROM，EEPROM2．存储矩阵，地址译码，输出控制电路3．输入，输出4．标准与或形式（最小项表达式）5．15，8，32K×86．紫外线，电7．可编程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器8．一次/许多9．EPROM10．寄存器，高速缓存，主存，外存8.4快闪存储器（FlashMemory）自测练习1．非易失性存储器有（）。（a）ROM和RAM（b）ROM和闪存（c）闪存和RAM2．FlashMemory的基本存储单元电路由（）构成，它是利用（）保存信息，具有（）性的特点。3．FlashMemory28F256有（）和（）两种操作方式。4．从功能上看，闪存是（）存储器，从基本工作原理上看，闪存是（）存储器。第4页共18页第3页共18页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第4页共18页5．Flash28F256有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位，编程操作是按字节编程的。答案：1．b2．一个浮栅MOS管，浮栅上的电荷，非易失3．只读存储方式，读/写存储方式4．RAM，ROM5．15，8，32K×88.5存储器的扩展自测练习1．存储器的扩展有（）和（）两种方法。2．如果用2K×16位的存储器构成16K×32位的存储器，需要（）片。（a）4（b）8（c）163．用4片256×4位的存储器可构成容量为（）位的存储器。4．若将4片6116RAM扩展成容量为4K×16位的存储器，需要（）根地址线。（a）10（b）11（c）12（d）135．将多片1K×4位的存储器扩展成8K×4位的存储器是进行（）扩展；若扩展成1K×16位的存储器是进行（）扩展。6．256×4的存储器有（）根数据线，（）根地址线，若该存储器的...