四探针和EIT 测试微区薄层电阻的研究与进展VIP免费

“半导体技术”2007年第32卷第5期技术论文“摘要”趋势与展望P369-四探针和EIT测试微区薄层电阻的研究与进展P374-系统级封装（SIP）技术及其应用前景技术专栏P378-铜互连线内电流拥挤效应的影响P382-ULSI制造中铜CMP抛光液的技术分析P387-有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响现代管理391-ARIMA模型在半导体产品需求预测上的应用器件制造与应用394-SiGeHBT高频噪声特性研究P397-基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究P402-微波功率LDMOS的工艺仿真及研制工艺技术与材料P406-长波长锗硅光电探测器的材料生长研究P410-PIN二极管用硅外延材料P413-微通道板清洗技术集成电路设计与开发P417-CMOS低功耗窄带低噪声放大器优化设计P422-RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析P426-基于1553B总线协议IP核的设计P430-基于AOA的广义阻抗变换器及其应用P433-基于∑-ΔADC的低功耗运算放大器设计封装、测试与设备P436-VDMOS器件贴片工艺中气泡的形成机制与影响P440-密封胶粘剂在高可靠微电子封装中的应用P443-BGA基板切割过程中唇缘效应的产生及改进措施P447-快速测试方案在半导体测试中的应用P451-微波功率器件动态试验系统趋势与展望四探针和EIT测试微区薄层电阻的研究与进展谢辉１ａ，刘新福１ｂ，贾科进１ａ，闫德立２，田建来１ａ（１．河北工业大学ａ．信息工程学院；ｂ．机械工程学院，天津３００１３０；２．石家庄铁道学院计算机科学与技术系，石家庄０５００４３）摘要：论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法——电阻抗成像技术（EIT）。给出了四探针的基本原理，指出EIT的基本思想来源于四探针技术。对EIT的基本原理和重建算法在理论上进行了描述，提出可将其应用于微区薄层电阻测试，并对EIT在大型硅片微区薄层电阻率均匀性测试技术上的系统应用做了进一步探索。系统级封装（SIP）技术及其应用前景韩庆福，成立，严雪萍，张慧，刘德林，李俊，徐志春（江苏大学电气与信息工程学院，江苏镇江２１２０１３）摘要：随着各种半导体新工艺与新材料水平的不断提高，先进的封装技术正在迅速地发展。本文综述了先进的系统级封装（SIP）技术的概念及其进展情况；并举例说明了它的应用情况，同时指出，SIP是IC产业链中知识、技术和方法相互交融渗透及综合应用的结晶。SIP封装集成能最大程度上优化系统性能、避免重复封装、缩短开发周期、降低成本和提高集成度，掌握这项新技术是进入主流封装领域之关键，有其广阔的发展前景。技术专栏铜互连线内电流拥挤效应的影响任韬，翁妍，徐洁晶，汪辉（上海交通大学微电子学院，上海２０００３０）摘要：提出了一种新的测试结构（S结构），通过实验、理论推导和有限元分析，研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性的影响。实验和有限元分析表明，铜互连线内由于电流拥挤效应的存在，在用户温度下沿特定通道输运的局部原子通量显著增大，而焦耳热所产生的温度梯度对原子通量和通量散度增大的影响则相对有限。ULSI制造中铜CMP抛光液的技术分析李庆忠１，２，郭东明１，康仁科１（１．大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室，辽宁大连１１６０２４；２．江南大学，江苏无锡２１４１１２）摘要：对ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论，分析了铜化学机械抛光的材料去除过程、影响因素和抛光液的重要作用，讨论了酸性和碱性两种铜抛光液的组成和一些组分的功能，对研究铜化学机械抛光的电化学手段进行了阐述和机理分析，指出了铜化学机械抛光今后的研究趋势和重点以及抛光液研究的发展方向。有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响陈敏娜１，曾磊１，２，汪礼康１，张卫１，徐赛生１，张立锋１（１．复旦大学微电子研究院，复旦-诺发铜互连研究中心，上海２００４３３；２．罗门哈斯电子材料（上海）有限公司，上海２００２３３）摘要：针对集成电路电镀铜技术，研究了三种有机添加剂（加速剂、抑制剂和平整剂）对铜互连线脉冲电镀的影响及其机制。采用电化学方法LCV（线性循环伏安法）和CP（计时电势法），分析了不同添加剂浓度下电镀过程的极化情况；用SEM表征了三种添加剂对脉冲电镀铜的镀层结构...