隔离技术的研究与应用系电子信息工程系（宋体三号）专业姓名班级学号_______________指导教师职称指导教师职称设计时间2012.9.15－2013.1.4摘要随着半导体集成电路技术的不断发展，要求在有限的晶圆表面做尽可能多的器件，晶圆表面的面积变得越来越紧张，器件之间的空间也越来越小，因此对器件的隔离工艺要求越来越高。本课程设计主要介绍了半导体制造工艺中隔离技术的作用和发展，简单描述了结隔离、介电质隔离、局部氧化隔离工艺和浅沟槽隔离等常用隔离技术。由于集成电路的发展，其他的隔离技术已不适应现在的半导体工艺，本文以浅槽隔离技术工艺为重点详细介绍了隔离技术在半导体中的应用浅沟道隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。关键词：结隔离，介电质隔离，局部氧化隔离工艺，STI目录摘要........................................................................................................................................2目录........................................................................................................................................3第1章绪论............................................................................................................................41.11.2集成电路工艺技术概述.......................................................................................4隔离技术简介.......................................................................................................4第2章隔离技术的原理..........................................................................................................62.12.2隔离技术的原理...................................................................................................6隔离技术的新发展...............................................................................................6第3章隔离技术的工艺及发展..............................................................................................73.13.23.33.4结隔离...................................................................................................................7介电质隔离...........................................................................................................8局部氧化隔离（LOCOS）工艺.............................................................................9浅沟槽隔离（STI）工艺简介...........................................................................11第4章浅沟槽隔离技术........................................................................................................144.14.2浅沟槽隔离技术(ST工)在半导体器件中的作用............................................14浅沟槽隔离刻蚀步骤.........................................................................................154.2.1隔离氧化层成长..................................................................................................................154.2.2氮化物淀积..........................................................................................................................154.2.3光刻掩膜..............................................................................................................................154.2.4浅沟槽刻蚀..........................................................................................................................164.3隔离技术的关键工艺.........................................................................................164.3.1氧化和氮化硅生长............................................................................
