目录一、填空题（每空1分，共24分）.................................................................................................................................................................1二、判断题（每小题1.5分，共9分）............................................................................................................................................................1三、简答题（每小题4分，共28分）.............................................................................................................................................................2四、计算题（每小题5分，共10分）.............................................................................................................................................................4五、综合题（共9分）.......................................................................................................................................................................................5一、填空题（每空1分，共24分）1.制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是电阻薄膜层光刻、高层绝缘层光刻和互连金属层光刻。2.集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括图形转化技术、薄膜制备技术、掺杂技术。3.晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等四种。4.高纯硅制备过程为氧化硅→粗硅→低纯四氯化硅→高纯四氯化硅→高纯硅。5.直拉法单晶生长过程包括下种、收颈、放肩、等径生长、收尾等步骤。6.提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过切片、研磨、抛光等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。7.常规的硅材料抛光方式有：机械抛光，化学抛光，机械化学抛光等。8.热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化。9.硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对硼、磷、砷（As）、锑（Sb）等元素具有掩蔽作用。10.在SiO2内和Si-SiO2界面存在有可动离子电荷、氧化层固定电荷、界面陷阱电荷、氧化层陷阱等电荷。11.制备SiO2的方法有溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、热氧化法、热分解淀积法等。12.常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足余误差函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足高斯分布函数分布。13.离子注入在衬底中产生的损伤主要有点缺陷、非晶区、非晶层等三种。14.离子注入系统结构一般包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室等部分。15.真空蒸发的蒸发源有电阻加热源、电子束加热源、激光加热源、高频感应加热蒸发源等。16.真空蒸发设备由三大部分组成，分别是真空系统、蒸发系统、基板及加热系统。17.自持放电的形式有辉光放电、弧光放电、电晕放电、火花放电。18.离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有反射、产生二次电子、溅射、注入。19.溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、偏压溅射、磁控溅射（反应溅射、离子束溅射）等。20.常用的溅射镀膜气体是氩气（Ar）,射频溅射镀膜的射频频率是13.56MHz。21.CVD过程中化学反应所需的激活能来源有？热能、等离子体、光能等。22.根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：气相外延、液相外延、固相外延。23.硅气相外延的硅源有四氯化硅（SiCl4）、三氯硅烷（SiHCl3）、二氯硅烷（SiH2Cl2）、硅烷（SiH4）等。24.特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括高分辨率、高灵敏度的光刻胶、低缺陷、精密的套刻对准、对大尺寸硅片的加工等五个方面。25.常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。26.光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有溶解度、温度、甩胶时间、转速。27.控制湿法腐蚀的主要参数有腐蚀液浓度、腐蚀时间、腐蚀液温度、溶液的搅拌方式等。28.湿法腐蚀Si所用溶液有硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液、KOH溶液等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是HF溶液，腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是磷酸...
