填空，判断，简答，计算一、填空题1.用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG），有时也被称为（电子级硅）。1．晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（锗）。2．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100）、（110）和（111）。3．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。4．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。5．目前常用的CVD系统有：（APCVD）、（LPCVD）和（PECVD）。6.缩略语PECVDLPCVDHDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。7．化学气相淀积是通过（气体混合）的化学反应在硅片表面淀积一层（固体膜）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（加热）来向反应系统提供附加的能量。8．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝），即将取代它的金属材料是（铜）。9．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al）、（Cu）和（铝铜合金）。10．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。11．光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（正性光刻），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（负性光刻胶），后者是（正性光刻胶）。12．刻蚀是用（化学方法）或（物理方法）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形）。13．集成电路制造中掺杂类工艺有（热扩散掺杂）和（离子注入）两种，其中（离子注入）是最重要的掺杂方法。14．杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（间隙式扩散机制）扩散和（替代式扩散机制）扩散。15.集成电路的发展时代分为：（小规模集成电路SSI）、中规模集成电路MSI、（大规模集成电路LSI）、超大规模集成电路VLSI、（特大规模集成电路ULSI）。16．扩散区一般认为是进行高温工艺及薄膜淀积的区域。主要设备是高温扩散炉，其能完成（氧化）、扩散、（淀积）、（退火）以及合金等多种工艺流程。二、判断题1.半导体级硅的纯度为99.9999999%。（V）2.冶金级硅的纯度为98%。（V）3.西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。（V）4.用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片,这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。（V）5.（111）面的原子密度更大，所以更易生长，成本最低，所以经常用于双极器件。（V）双极型和单极型的差别主要看有几种载流子参与导电。在双极型晶体管中,多子和少子（也就是空穴、电子,两种不同极性的载流子）都参与导电,如BJT，其为电流控制电流。而在单极型晶体管中只有多子（或空穴,或电子,只有一种,单一极性）参与导电,如MOS,场效应管，为电压控制电流。6.成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。（V）7.当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。（V）8.暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。（V）9.二氧化硅是一种介质材料，不导电。（V）10.硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗去除。（V）11.栅氧一般通过热生长获得。（V）12.虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。（V）13.CVD（化学气相淀积）是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。（X）CVD（化学气相淀积）：通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程PVD（物壬里气相淀积）:是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。14•夕卜延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。（”）15•在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD°（...
