填空，判断，简答，计算一、填空题1
用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG），有时也被称为（电子级硅）
1．晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（锗）
2．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100）、（110）和（111）
3．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）
4．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）
5．目前常用的CVD系统有：（APCVD）、（LPCVD）和（PECVD）
缩略语PECVDLPCVDHDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）
7．化学气相淀积是通过（气体混合）的化学反应在硅片表面淀积一层（固体膜）的工艺
硅片表面及其邻近的区域被（加热）来向反应系统提供附加的能量
8．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝），即将取代它的金属材料是（铜）
9．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al）、（Cu）和（铝铜合金）
10．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）
11．光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（正性光刻），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（负性光刻胶），后者是（正性光刻胶）
12．刻蚀是用（化学方法）或（物理方法）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形）
13．集成电路制造中掺杂类工艺有（热扩散掺杂）和（离子注入）两种，其中（离子注入）是最重要的掺杂方法
14．杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（间隙式扩散机制）扩散和（替
