半导体二极管参数的测量VIP免费

4.2.44.2.4半导体二极管参数的测量半导体二极管参数的测量二极管是整流、检波、限幅、钳二极管是整流、检波、限幅、钳位位等电路中的主要器件。等电路中的主要器件。一、半导体二极管的特性和主要参数一、半导体二极管的特性和主要参数11．二极管的主要特性．二极管的主要特性二极管最主要的特性是单向导电特性，即二极二极管最主要的特性是单向导电特性，即二极管正向偏置时导通；反向偏置时截止。管正向偏置时导通；反向偏置时截止。22．二极管的主要参数．二极管的主要参数（（11）最大整流电流）最大整流电流指管子长期工作时，允许通过的最大正向指管子长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。平均电流。（（22）反向电流）反向电流指在一定温度条件下，二极管承受了反向指在一定温度条件下，二极管承受了反向工作电压、又没有反向击穿时，其反向电工作电压、又没有反向击穿时，其反向电流值。流值。（（33）反向最大工作电压）反向最大工作电压指管子运行时允许承受的最大反向电压。指管子运行时允许承受的最大反向电压。应小于反向击穿电压。应小于反向击穿电压。FMIRMV（（44）直流电阻）直流电阻指二极管两端所加的直流电压与流过它的直流电流之比。良指二极管两端所加的直流电压与流过它的直流电流之比。良好的二极管的正向电阻约为几十好的二极管的正向电阻约为几十ΩΩ到几到几kΩkΩ；反向电阻大；反向电阻大于几十于几十kΩkΩ到几百到几百kΩkΩ。。（（55）交流电阻）交流电阻rr二极管特性曲线工作点二极管特性曲线工作点QQ附近电压的变化量与相应电流变化附近电压的变化量与相应电流变化量之比。量之比。（（66）二极管的极间电容）二极管的极间电容势垒电容与扩散电容之和称为极间电容。在低频工作时，二势垒电容与扩散电容之和称为极间电容。在低频工作时，二极管的极间电容较小，可忽略；在高频工作时，必须考虑其极管的极间电容较小，可忽略；在高频工作时，必须考虑其影响。影响。二、测量原理和常规测试方法二、测量原理和常规测试方法PNPN结的单向导电性是进行二极管测量的根结的单向导电性是进行二极管测量的根本依据。本依据。11．模拟式万用表测量二极管．模拟式万用表测量二极管（（11）正、反向电阻的测量）正、反向电阻的测量通常小功率锗二极管正向电阻值为通常小功率锗二极管正向电阻值为300~500300~500，，反向电阻为几十千欧，硅管正向电阻值为反向电阻为几十千欧，硅管正向电阻值为1k1k或更大些，反向电阻在或更大些，反向电阻在500k500k以上（大功率二以上（大功率二极管的数值要小得多）。极管的数值要小得多）。正反向电阻的差值越大越好。正反向电阻的差值越大越好。（（22）极性的判别）极性的判别根据二极管正向电阻小，反向电阻大根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点可判别二极管的极性。的特点可判别二极管的极性。在测得阻值较小的一次测量中，如果在测得阻值较小的一次测量中，如果用模拟万用表来测，与黑表笔相接一用模拟万用表来测，与黑表笔相接一端为二极管正极，另一端为负极。端为二极管正极，另一端为负极。若若用数字万用表则相反用数字万用表则相反。。（（33）管型的判别）管型的判别硅二极管的正向压降一般为硅二极管的正向压降一般为0.6~0.7V0.6~0.7V，，锗二极管的正向压降一般为锗二极管的正向压降一般为0.1~0.3V0.1~0.3V，，通过测量二极管的正向导通电压，就通过测量二极管的正向导通电压，就可以判别被测二极管的管型。可以判别被测二极管的管型。方法：方法：1.5VR1KΩV22．数字式万用表测量二极管．数字式万用表测量二极管一般数字万用表上都有二极管测试档，一般数字万用表上都有二极管测试档，实际测量的是二极管的直流压降。实际测量的是二极管的直流压降。33．用晶体管图示仪测量二极管．用晶体管图示仪测量二极管直接显示二极管的伏安特性曲线。直接显示二极管的伏安特性曲线。44．发光二极管的测量．发光二极管的测量（（11）用模拟式万用表判别发光二极管）用模拟式万用表判别发光二极管用欧姆档测量其正向和反向电阻。用欧姆档测量其正向和反向电阻...