场效应管的频率响应VIP免费

5.4场效应管的频率响应5.4.1场效应管的高频小信号模型场效应管的低频小信号模型:无电容。场效应管的高频小信号模型：需要考虑电容Cgs和Cgd。图5.16FET高频小信号模型5.4.2特征频率类似于BJT，场效应管的特征频率可表示为Tf＝2()mgsgdgCC（5.32）5.4.3Miller效应和Miller电容图5.17含有负载LR的MOSFET的高频小信号等效电路在输入端的栅极节点列写KCL方程，有在输出端的漏极节点列写KCL方程，有上两式联立，消去dsV则(5.34)(5.33)(5.35)Cgd等效到输入回路：一般地，gdjC1LR上式变为根据上式重新将图5.17画成图5.18。图5.18含等效Miller电容的MOSFET高频电路<<(5.36)图中的电容MC为Miller电容，可表示为（5.37）在一般情况下，条件gdjC1LR都会满足，但在含有源负载的电路中就不一定能满足。若不满足，一般gdjCmg总是满足的，则式（5.34）变为<<<<(5.38)Cgd等效到输出回路：则该输出端应并联一个电容若式（5.38）是图5.18输出端的KCL方程，gdC因此，包含电容gdC对输出回路的影响的等效电路如图5.19图5.19电容gdC对输出回路影响的等效电路此时由式（5.39）可知，若MC仍按式（5.37）计算，则MC的值比真实值偏大。gdjC越接近于1LR这个偏差就越大。如果此时要计算上转折频率，建议采用原高频等效电路（图5.16）(5.39)[例5.8]利用Miller等效后的电路计算上转折频率。采用Miller等效的方法重新求解例5.4。解：由式（5.33）可得说明：本例计算的结果与例5.4计算的结果比较接近。如果电路接有负载电容LC该怎么分析电路的频率响应呢？1)若LjC1LR，由Miller电容的推导过程可知此时只需采用图5.19所示的电路，输出端的总电容仍然近似成立。为然后再用开路时间常数法计算上转折频率即可。<<2）若LjC不满足，但比较接近时，1LR则只好通过增益函数的表达式来计算上转折频率。3）若LjC1LR，则可忽略gsC和gdC的影响，再用开路时间常数法来计算上转折频率。<<>>