半导体激光器的发展与应用VIP免费

题目：半导体激光器的发展与应用学院：理专业：光姓名：刘半导体激光器的发展与应用摘要：激光技术自1960年面世以来便得到了飞速发展，作为激光技术中最关键的器件激光器的种类层出不穷，这其中发展最为迅速，应用作为广泛的便是半导体激光器。半导体激光器的独特性能及优点，使其获得了广泛应用。本文就简要回顾半导体激光器的发展历程，着重介绍半导体激光器在日常生活与军用等各个领域中的应用。关键词：激光技术、半导体激光器、军事应用、医学应用引言激光技术最早于1960年面世，是一种因刺激产生辐射而强化的光。激光被广泛应用是因为它具有单色性好、方向性强、亮度高等特性。激光技术的原理是：当光或电流的能量撞击某些晶体或原子等易受激发的物质，使其原子的电子达到受激发的高能量状态，当这些电子要回复到平静的低能量状态时，原子就会射出光子，以放出多余的能量；而接着，这些被放出的光子又会撞击其它原子，激发更多的原子产生光子，引发一连串的“连锁反应”，并且都朝同一个方前进，形成强烈而且集中朝向某个方向的光。这种光就叫做激光。激光几乎是一种单色光波，频率范围极窄，又可在一个狭小的方向内集中高能量，因此利用聚焦后的激光束可以对各种材料进行打孔。激光因为拥有这种特性，所以拥有广泛的应用。激光技术的核心是激光器，世界上第一台激光器是1960年由T.H.梅曼等人制成的第红宝石激光器，激光器的种类很多，可按工作物质、激励方式、运转方式、工作波长等不同方法分类。但各种激光器的基本工作原理均相同，产生激光的必不可少的条件是粒子数反转和增益大过损耗，所以装置中必不可少的组成部分有激励（或抽运）源、具有亚稳态能级的工作介质两个部分。半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器。在1962年7月美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）与其他研究人员一道研制出世界上第一台半导体激光器。半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产生激光的具体过程比较特殊。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。自1962年世界上第一只半导体激光器是问世以来，经过几十年来的研究，半导体激光器得到了惊人的发展，它的波长从红外红光到蓝绿光，被盖范围逐渐扩大，各项性能参数也有了很大的提高！半导体激光器具有体积小、效率高等优点，因此可广泛应用于激光通信、印刷制版、光信息处理等方面。一、半导体激光器的发展简史半导体激光器以半导体材料作为主要工作物质,利用其在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光发生振荡、反馈，产生光的辐射放大，从而输出激光。早期的半导体激光器以材料的p-n结特性为基础，因外观与晶体二极管类似，也常被称为二极管激光器或激光二极管。但那时的激光二极管受到很多实际限制，如只能在77K低温下以微秒脉冲工作。20世纪60年代初期研制的只能以脉冲形式工作的一种半导体激光器仍然在可预见相关领域有很重要的应用。而后生产的异质结构半导体激光器，是由两种不同带隙的半导体材料薄层（如GaAs,GaAlAs）所组成，最先出现的是单异质结构激光器(1969年)，它是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值的电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但仍不能在室温下连续工作。直至1970年，人们才实现了激光波长为9000Å，可在室温连续工作的双异质结GaAs-GaAlAs（砷化镓一镓铝砷）激光器，如砷化稼一稼铝砷激光器。1978年出现的世界上第一只半导体量子阱激光器(QWL)，大幅度提高了半导体激光器的各种性能。后来，又由于MOCVD,MBE生长技术的成熟，便成功地研制出了性能更加良好的量子阱激光器，它的阑值电流低、输出功率高，频率响应好，光谱线窄，温度稳定性好，电光转换效率较高。20世纪70年代末开始，半导体激光器主要向两个方向发展，...