IGBT半导体模块检验规范VIP免费

文件编号修改状态文件名称：半导体模块检验文件受控状态：生效日期：版本修改范围或修改条例修改日期修改人校核A/0新编制会签部门会签人/日期会签部门会签人/日期审核批准11目的为进一步提高半导体模块的质量，在进料时严格把关，明确来料品质验收标准，规范检验动作，使检验、判定标准达到一致性。2范围本规范适用我司所有半导体模块件，即为半导体模块检验通用标准，具体包括二极管（包括整流桥）、IGBT、晶闸管及其模块。3参考资料《外购件检验规范》。4检验工具及要求4.1检验工具：万用表、绝缘电阻测试仪。4.2检验要求：此类器件为静电敏感型，来料包装必须符合相关防静电要求，检验时必须佩带静电手环或者静电手套。5常见半导体厂商此类器件进货渠道均为代理厂家，检验记录同时填写代理厂商和原厂商。2<5::■■Xpep+6A■▼L—单向整流6外观检验6.1检查产品的型号规格、厂商是否正确；6.2包装良好且符合防静电要求，有产品出厂检验合格证或条形码6.3生产日期必须在两年以内，同一次送货，每一种类电子元器件的批次号不能超过2个批次。6.4标志丝印应正确、清晰；6.5本体不应有损伤、沾污、锈斑、开裂，底部要求平整，无划痕。7二极管模块检验7.1测试方法正极I负极（阳极）■（阴极）二极管符号将数字万用表档位调节到二极管测试档，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测试的是二极管的正向电压，然后将表笔对调测试二极管的反向电压，应符合以下规定。规定：小功率晶体二极管正向电压值：硅管0.6〜0.8V；锗管0.2〜0.5V。大功率晶体二极管正向电压值：硅管0.6〜1.0V；锗管0.2〜0.6V。反向不导通,数字万用表显示0L。7.2常见二极管模块对于以下二极管模块，可将其拆分为多个二极管进行测试，分别测量单个二极管的管压降，必须全部符合上述规定。8IGBT模块检验共阳共阴三相整流38.1工作原理如下图所示，在IGBT的栅极G和发射机E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET—样也是电压控制型器件，在它的栅极G与发射极E之间施加十几V的直流电压，只有uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。IGBT等效电路IGBT符号8.2管压降测试将数字万用表档位调节到二极管测试档，参照二极管测试方法，测量EC脚正向和反向电压值（即EC极外接续流二极管的压降），应在规定数值内，具体技术参数见附件《IGBT静态测试值》管压降测试8.3结电容测试将数字万用表档位调节到电容测试档，测量GE结电容值（即输入电容），万用表红表笔接G极，黑表笔接E极，所测得的电容值应在规定数值内，具体技术参数见附件《IGBT静态测试值》8.4绝缘测试对于存放三年以上或从其它仓转原材料仓的IGBT类半导体电子元器件，需增加4绝缘电阻测试。要求：500V绝缘电阻测试仪测定逆变器对外壳的绝缘电阻〉10MQ。9晶闸管模块检验9.1工作原理如下图所示，晶闸管有三个极，阳极A,阴极K,门极G,只有在GK两极之间加上正向偏置电压，AK极之间才能导通，此时撤销GK两极正向偏置电压，不影响AK极导通，只有将AK极电压倒置，才能阻断AK极之间的导通状态。K晶闸管结构原理图9.2测试方法①数字万用表选用电阻档，测量晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时万用表读数均为几十兆欧（阻值无穷大），若万用表阻值读数不为几十兆欧（不为无穷大），说明该单向晶闸管内部已击穿损坏。②数字万用表选用电阻档，测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值（实际测量结果较普通二极管的正、反向电阻值小一些），即正向电阻值较小（小于2kQ）,反向电阻值较大（大于80kQ）。若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。若正、反电阻值均相等或接近，则说明该晶闸管已失效，其G、K极间PN结已失去单项导电作用。5IGBT静态测量值・doaIGBT检验记录表・二极管检验记录表.docxa晶闸管检验记录表.docx③数字万用表选用电阻档，测量阳极A与门极G之间的正、反向电阻值，正常时两个阻值均为几百千欧姆...