光电探测器的应用摘要:光电探测技术利用光源在目标和背景上的反射或目标、背景本身辐射电磁波的差异来探测、识别目标并对它们进行跟踪、瞄准
光电探测设备与电子、雷达声、磁等探测装备相辅相成,互为补充,各有特点,共同组成一个完整的战略、战术侦察探测体系
目前,光电探测主要分为可见光探测、微光探测、红外探测、激光侦察、光电综合探测、卫星光电探测、机载光电探测、舰载光电探测和车载光电探测等多种
1873年,英国W
史密斯发现硒的光电导效应,但是这种效应长期处于探索研究阶段,未获实际应用
第二次世界大战以后,随着半导体的发展,各种新的光电导材料不断出现
在可见光波段方面,到50年代中期,性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用
60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器
60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展
所谓光电导探测器就是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件
所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象
光电导效应是内光电效应的一种
当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时,光子能够将价带中的电子激发到导带,从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应
这里h是普朗克常数,v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)
光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途
在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面
光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面
为了避免光生载流子扩散引起图像模糊,连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等
其他材料可采取镶