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MOS管和IGBT管区别什么是MOS管?场效应管主要有两种类型,分别；是吉型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。1、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。什么是IGBT?IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。□Mslo一GBT料萼N蹙一GBT逼一GIGBT画MOSDDBS苹如、IGBT序砌MOS^1>H§fflHg血m圧斗吻州^1—砂心血、IGBT内部的体二极管并非寄生的而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。MOS管和IGBT的结构特点nnS漏极(D}IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。集电极(0匪卓(1)MOSFET的皋本结构U)IGBT的基本结构门极源极⑸门极(®发射极(E)MOSFETMOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。IGBT理想等效电路另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。选择MOS管还是IGBT?在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到的问题如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：100厂频率(kHz)MOSFE101200400600800-TIGB1000-1200-1400-电压(V)都可以选用，“？”表示当前工艺还无法达到的水平。MOSffllGBT常见应用区域图总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。也可从下图看出两者使用的条件，月影部分区域表示MOSFET和IGBTMOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。