光电子技术复习题重庆大学VIP专享VIP免费

光电子技术复习题(重庆大学)光电子技术复习题(重庆大学)第5章光探测器：能把光辐射量转换成另一种便于测量的物理量的器件光电探测器：把光辐射量转换成电量（电流或电压）的光探测器光电探测器性能参数1.量子效率2.响应度3.光谱响应4.等效噪声功率5.归一化探测度6.频率响应7.噪声谱量子效率:是指每一个入射光子所释放的平均电子数。响应度R:响应度为探测器输出信号电压Vs（或电流Is）与输入光功率P之比光谱响应:表征R随波长(拉门大)变化的特性参数频率响应R(f)：频率响应R(f)是描述光探测器响应度在入射光波长不变时，随入射光调制频率变化的特性参数。等效噪声功率NEP：定义为相应于单位信噪比的入射光功率，用来表征探测器探测能力，NEP越小，探测能力越强。归一化探测度D*：探测度D：单位入射功率相应的信噪比。D*表示单位探测器面积、单位带宽的探测度，1.光电效应：光照射到物体上使物体发射电子，或电导率发生变化，或产生电动势，这些因光照引起物体电学特性改变的现象，统称为光电效应内光电效应：光子激发的载流子(电子或空穴)将保留在材料内部。外光电效应:将电子打离材料表面，外光电效应器件通常有多个阴极，以获得倍增效内光电效应主要包括光电导效应与光伏效应光电导效应是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。光伏效应指光照使半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。光电导效应下的光敏电阻光敏电阻的频率特性差，不适于接收高频光信号前历效应：前历效应是指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一种现象。分暗态前历与亮态前历。光敏电阻特点：优点：1.光谱响应相当宽2.所测的光强范围宽，即可对强光响应，也可对弱光响应3.无极性之分，使用方便4.灵敏度高，工作电流大，可达数毫安缺点：强光照射下线性较差，频率特性也较差，不适于接收高频光信号，受温度影响大2.第一象限：普通二极管第三象限：光导工作模式光电二极管工作区域第四象限：光伏模式光电池工作区域光电池：太阳能电池－－用作电源，测量光电池－－作光电探测3.光电二极管和光电池的区别：光电二极管和光电池一样，其基本结构也是一个PN结。和光电池相比，重要的不同点是结面积小，因此具有特别好的频率特性。比较：光电二极管与光电池1.掺杂浓度较低；2.电阻率较高；3.结区面积小；4.通常多工作于反偏置状态；5.结电容小，频率特性好；6.光电流比光电池小得多，一般多在微安级4.PIN光敏二极管：在P型半导体和N型半导体之间夹着一层本征半导体。频带宽灵敏度高频带宽：由于P-N结空间电荷层的间距加宽，因此结电容变小。相应时间变短，频带变宽。灵敏度高：I层较厚，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子-空穴对。5.雪崩光敏二极管：高反压(100～200V)强电场载流子加速碰撞新载流子雪崩倍增－－光电流的放大6.光敏三极管：光电三极管：输出光电流大光电特性“非线性”，频率特性较差7.散粒噪声产生-复合噪声热噪声低频噪声散粒噪声：探测器的散粒噪声是由于探测器在光辐射作用或热激发下，光电子或光生载流子的随机产生所造成的。产生-复合噪声：半导体中由于载流子产生与复合的随机性而引起的平均载流子浓度的起伏所产生的噪声称为产生—复合噪声，亦称G-R噪声(热噪声：热噪声是由耗散元件中电荷载流子的随机热运动引起的低频噪声：在低频时存在的噪声，几乎所有探测器中都存在。由于噪声功率与频率有近似反比的关系，也称为1/f噪声第1章8.DDD表明电荷产生电场，且电场是有源场9.EEEE表明变化的磁场产生电场10.BBBBB表明磁场是无源场，磁感线总是闭合曲线11.HHHH表明传导电流和变化的电场都能产生磁场12.D=界面两侧电场的法向分量发生了跃变B=界面两侧磁场的法向分量连续E=界面两侧电场的切向分量连续H=界面两侧磁场的切向分量发生了跃变13.两种理想介质分界面上的边界条件在两种理想介质分界面上，通常没有电荷和电流分布，即JS＝0、ρS＝0D的法向分量连续B的法向分量连续E的切向分量连续H的切向分量连续14.理想导体表面上的边界条件理想导体：电导率为无限大的导电媒质特征：电磁场不可能进入理想导体内设媒质2为理想导体，则E2、D2、H2、B2均为零理想...