复习题二注意： 1、先把书上知识点和做过的作业理解会做，然后再复习这部分内容。2、期中考试前发的样卷里有很多第十章直流稳压电源相关的题目。1、放大电路中的静态分量是指__________，动态分量是指____。A、直流电源所提供的电压、电流，B、电压、电流中不随输入信号变化的部分，C、电压、电流中随输入信号变化的部分，D、正弦交流输入、输出信号2、NPN 和 PNP 型晶体管的区别取决于____ A、半导体材料硅和锗的不同，B、掺杂元素的不同，C、掺杂浓度的不同，D、P 区和 N 区的位置不同。N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于____ A、衬底材料前者为硅，后者为锗，B、衬底材料前者为N 型，后者为P 型，C、导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴。3、晶体管工作在放大区时，发射结为____，流过发射结的主要是____；集电结为 ____，流过集电结的主要是____。A 、正向偏置，B、反向偏置，C、零偏置，D、扩散电流，E、漂移电流4、某硅二极管在正向电压V6.0DU时，正向电流mA10DI。当DU增加 10％（即增大到 0.66V ）时，则DI约为 ____。A、10mA ，B、11mA ，C、20mA ， D、100mA 5、已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为T1 时的伏安特性如图中虚线所示。1．在 25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？2．温度 T1 是大于 25℃还是小于25℃？/uV0imA－ 0.01－ 0.02－ 0.03－4051015－60－800.20.40.6T125℃6、两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和 B，对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A 的输出电压比B 的大。这说明A的________________ 。输出电阻比B 的________________。A、输入电阻，B、输出电阻C、大，D、小7、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和 B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A 的输出电压比B 的小，这说明A 的________________ 。输出电阻比B 的________________。A、输入电阻，B、输出电阻C、大，D、小8、某硅晶体管输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其交流负载线、静态工作点Q如图所示。设晶体管的U BE＝0.7V，U CES＝0.5V。1．确定cR 的数值，画出直流负载线（要标出关键点的数值）；2．确定 VCC 和bR 的值；3．在这种情况下，最大不失真输出电压幅值是多少？4．为了获得更大的不失真输出电压，bR 应增大还是...
