《电力电子技术》模拟试题一第 1 页 （共 9 页）二○一八～ 二○一九学年第 2 学期考试日期：年月日试卷类型：A试卷代号：班号学号姓名题号一二三四五六七八九十总分得分一、不定项选择题: (24 分)1. (4’) 在下列功率半导体器件中，额定电流根据有效值选择的器件是 ()，属于电压控制型的全控器件是 ()，适用于高频(数十千 Hz)工作的可控型器件是() ， 有两种载流子参与导电的全控型器件是()。A. 晶闸管(SCR)； B. 功率二极管； C. 功率晶体管(GTR)； D. MOSFET； E. IGBT。2. (2’) 以下关于单相桥式可控整流电路叙述正确的是 ()。A.晶闸管承受的最大反向电压为 (U2 为变压器副边电压有效值)；B.电阻性负载，控制角 α 越大，功率因数越高；C.大电感负载，且电感无穷大，此时移相范围为 90 度；D.如果把斜对角的两只晶闸管换成两个整流二极管，则容易出现失控现象。3. (2’) 以下关于带平衡电抗器的双反星形整流电路叙述正确的是 ()。A. 变压器不存在直流磁化问题；B. 适用于高压小电流应用场合；C. 如将平衡电抗器短路，则整流电压值将会上升；D. 整流电压波形脉动频率为六倍工频。本题分数24得分第 2 页（共 9 4. (2’) 在三相半波逆变电路中，叙述正确的是 ()。A.若要工作于逆变状态，必须同时触发晶闸管 Ta, Tb 和 Tc；B.若在输出端接续流二极管，则不可能实现有源逆变；C.为避免因延迟、换相重叠等原因引起的逆变失败，逆变角应留有余量；D.换相重叠使输出电压略有降低。5. (2’) 下列关于 MOSFET 和 IGBT 叙述正确的是 ()。A. IGBT 存在电流拖尾，因此关断损耗大；B. MOSFET 作为开关应用时，导通状态下工作在饱和区；C. 由于空穴的迁移率比电子迁移率低，大功率 MOSFET 一般不采用 P 沟道；D. IGBT 不存在密勒效应。6. (2’) 以下关于 Boost 直流变换器叙述正确的是 ()。A. 电感的作用是滤波；B. 如需保持输出电压稳定，一般采用脉宽控制方式；C. 电感电流断续，当负载电流减小时，为维持 Ui/Uo 不变，需增大占空比；D. 升压二极管的电流平均值即为负载电流。7. (4’) 在下列隔离型直流变换器中，变压器工作在单向磁化状态的是() ；变压器工作在双向磁化状态的是()。晶体管电压应力为输入电压的是()；无需增加其它辅助电路，变压器磁通即可实现自动复位的是()。)。A.单端正激变换器；B.推挽变换器；C.反激变换器；D.半桥变换器；E.全桥变换器。8. ...
