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第 1 章 电力电子器件 填空题： 1.电力电子器件一般工作在________状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。 3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、 ________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 ________ 、 ________ 、________三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为________。 6.电力二极管的主要类型有________、________、 ________。 7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 ____ 正向有触发则导通、反向截止 ____ 。 9.对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL________IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDRM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为，UDRM________Ubo。 11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管 GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________ 。 14.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。 15.电力 MOSFET 的通态电阻具有________温度系数。 16.IGBT 的开启电压 UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力 MOSFET 。 17.功率集成电路 PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 ________和________两类。 19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。 20.GTR 的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。 21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中 ，快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护 。 22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是________措施，给每只管子并联 RC 支路是_______...