:5、线】、2、3、载流子的扩散运动产生漂移电流。简并化半导体的主要特点是掺杂浓度很低。SiC 是宽带隙的半导体材料。弗仑克尔缺陷是指空位和间隙原子成对出现的缺陷。对于窄禁带半导体材料，热电击穿是重要的击穿机制。((((()))))A．16B．17C．18D．192、一块 2cm 长的硅片，横截面是 0.1cm2，用于测量电子迁移率。已知掺杂浓度为 N 二 1015cm-3，测得电阻值为 900，则其电子迁移率为 cm2/Vs。DA．1450B．550室温下，费米分布函数在 E 处的值为F'A．0B．0.5C．0.56D．1对某块掺杂硅材料在整个温度范围内测量霍尔系数，结果均为 R<0，则该材料的导电类C．78D．1393、订4、D125n一、选择题(每小题 2 分，共 10 分)1、室温下一硫化镉样品的可动载流子密度为 1016cm-3，迁移率为 100cm2/Vs，则此样品的电导率是(Ocm)-1。型为A.N 型 B.P 型 C.本征 D.不确定5、一个零偏压下的 PN 结电容，每单位面积的耗尽层电容 C 二 0.772mF/m2，硅的介电常数&为 11.8x8.85x10-12F/m，则耗尽层宽度是sA.135 卩 mB.125 卩 mC.135nm、判断题(每小题 2 分，共 10 分)三、填空题（每空 2 分，共 10 分）1、有效的陷阱中心能级在附近。2、一定温度下，非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积 np=003、最初测出载流子有效质量的实验名称是。4、金属半导体接触可分为两类，分别是和欧姆接触。5、不含任何杂质和缺陷的理想半导体称为半导体。半导体物理》课程考试试卷(A)装四、名词解释（每小题 4 分，共 8 分）1、耿氏效应2、准费米能级五、简答题（每小题 8 分，共 16 分）1、解释什么是深能级杂质和浅能级杂质？硅中掺入的硼属于哪一种杂质？硅中掺入的金属于哪一种杂质，起什么作用？2、简述费米分布函数和玻尔兹曼分布函数的区别。六、计算：（共 12 分）假设在 PN 结的两侧有相同和均匀的掺杂，N 二 N 二 5x1016cm-3,AD计算单位面积的非补偿施主离子的数量。七、计算：（共 18 分）已知：室温 300K 下，一块 P 型硅样品的电阻率为 0.5Ocm，电子迁移率为 1450cm2/Vs，空穴迁移率为 500cm2/Vs，本征载流子浓度 n 为 1.02x1010cm-3。求:i（1）电子和空穴的浓度；（2）用一束光照射样品，可产生电子-空穴对 2x1016cm-3，求电阻率的最大改变量。八、作图题（共 16 分）1、（共 8 分）某热平衡状态下的 PN 结如图所示，灰色部分表示耗尽层宽度。N|P（1）请画岀该 PN 结在热平衡状态下的能带图...
