挺进次世代：ASML 披露更多EUV 光刻机研发新进展 IMEC 工作人员正在安装NXE:3100 如我们往常介绍的那样，ASML 目前上市的试产型EUV 光刻机型号为NXE:3100，这款机型号称最高成像能力为18nm，尽管这款机型在曝光功率和产出量方面还存在一些问题，但ASML 表示他们会进一步优化下一代机型的性能，他们预定于2019 年推出3100 的后续机型。 我们先来看看他们刚刚推出的试产型NXE:3100 机型的情形，之因此称为“试产型” ，要紧是因为这款机型在产出量方面还不能达到芯片制造厂商量产芯片时的产出量要求。 NXE:3100 机型的要紧客户和光源系统/产出量指标： 目前差不多有两台NXE:3100 在客户处安装完成，其中首家安装的客户是三星公司，第二家则是比利时的IMEC 研究机构。需要说明的是，目前ASML 公司有两家EUV 光源供应商，其一是Cymer 公司，他们生产的EUV 光源系统采纳的是LPP 激光等离子体光源，这种光源使用高功率激光来加热负载产生等离子体，据ASML 透露，目前Cymer 提供的光源系统其连续曝光功率为11W；另外一种则是Ushio 生产的基于DPP 放电等离子体技术的光源系统，这种光源利用放电来加热负载(极微小的锡滴)产生等离子体，据ASML 称Ushio 正在开发过程中的一套DPP 光源系统的曝光功率可达12W。而三星公司安装的那台NXE3100 配用的是Cymer 的光源系统，IMEC 的那台则采纳Ushio 的光源系统。 另外还有一家生产EUV 光源系统的要紧厂商Gigaphoton，据ASML 公司透露，这家公司制造的EUV LPP 光源系统据称曝光功率可达20W 左右。 接触孔(contact hole)的形状 据说三星采购这台EUV 光刻机的目的是预备将其用于内存芯片的生产制造，缘故是假如使用193nm 液浸光刻+双重成像技术来制造更高密度的内存芯片中的接触孔结构，其制造成本会专门高，因此三星正在查找其它的制造方案。 产出量方面，NXE3100 机型到今年年底可实现60 片晶圆/小时的产出量，而目前则每小时只能加工出5 片晶圆。按照ASML 公司高级产品经理Christian Wagner 的说法，只有将光源的连续曝光功率提升到100W 等级，才有望实现60 片/小时的产出量目标。而按KLA-Tencor 公司高管的说法，EUV 光刻机的每小时产出量必须能坚持在80 片晶圆，光刻机厂商才有可能从中获得稳固的收入。 NXE3100 其它要紧技术参数： 其它参数方面，按照ASML 公司高级产品经理Christian Wagner 的说法，NXE:3100 辨论率可达27nm 级别，能够成像的...
