pn 结工作原理 1.2.1 PN 结的形成 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N 型半导体和P 型半导体。此时将在N 型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 ↓ 多子的扩散运动®由 杂质离 子形成空 间 电 荷 区 ↓ 空 间 电 荷 区 形成形成内 电 场 ↓ ↓ 内 电 场 促 使 少 子漂 移 内 电 场 阻 止 多子扩散 最 后 ， 多子的扩散和少 子的漂 移 达 到 动态 平 衡 。在P 型半导体和N 型半导体的结合面两侧， 留 下离 子薄 层 ， 这个 离 子薄 层 形成的空 间 电 荷 区 称 为 PN 结。PN 结的内 电 场 方 向 由 N 区 指 向 P 区 。在空 间 电 荷 区 ， 由 于 缺 少 多子， 所 以 也称 耗 尽 层 。PN 结形成的过程可 参 阅 图 01.06。 图 01.06 PN 结的形成过程（ 动画 1-3） 如打 不开 点 这 儿 （ 压 缩 后 的） 1.2.2 PN 结的单 向 导电 性 PN 结具 有 单 向 导电 性 ， 若 外 加 电 压 使 电 流 从 P 区 流 到 N 区 ， PN 结呈 低 阻 性 ， 所 以 电 流 大 ； 反 之 是 高 阻 性 ， 电 流小 。 如果外加电压使： PN 结P 区的电位高于N 区的电位称为加正向电压，简称正偏； PN 结P 区的电位低于N 区的电位称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN 结加正向电压时的导电情况 PN 结加正向电压时的导电情况如图 01.07 所示。 外加的正向电压有一部分降落在 PN 结区，方向与 PN 结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN 结呈现低阻性。 图 01.07 PN 结加正向电压时的导电情况(动画 1-4),如打不开点这儿（压缩后的） (2) PN 结加反向电压时的导电情况 PN 结加反向电压时的导电情况如图 01.08 所示。 外加的反向电压有一部分降落在 PN 结区，方向与 PN 结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时 PN 结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN 结呈现高阻性。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流...
