12V 逆变器(直流12V 转交流220 逆变器)的原理及制作过程 这里介绍的逆变器（见图）主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于 MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。 12V 逆变器电路图 逆变器电路图如下图所示: 12V 逆变器原理 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 方波信号发生电路（见图3） 图3 这里采用六反相器CD4069 构成方波信号发生器。电路中R1 是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1 充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。 场效应管驱动电路 图4 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大幅度为~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2 将振荡信号电压放大至 0~12V。如图4 所示。 MOS 场效应管电源开关电路 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下 MOS 场效应管的工作原理。 图5 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS 场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN 型 PNP 型。NPN 型通常称为N 沟道型，PNP型也叫P 沟道型。由图可看出，对于N 沟道的场效应管其源极和漏极接在N 型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P 型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。 图6 为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N 结的二极管的工作过程。如图6 所示，我们知道在二极管加上正向电压（P 端接正极，N 端接负极）时，二极管导通，其PN 结有电流通过。这是因为在P 型半导体端为正电压时，N 型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P 型半导体端，而 P 型半导体端内的正电子则朝 N 型半导体端运动，从...
