场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108W～109W）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个 PN 结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS 场效应管，简称MOS 管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS 和VMOS 功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS 功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P 沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS 场效应晶体管。而MOS 场效应晶体管又分为N 沟耗尽型和增强型；P 沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、场效应晶体管的型号命名方法 现行场效应管有两种命名方法。 第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母 J 代表结型场效应管，O 代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D 是P 型硅，反型层是N 沟道；C 是N 型硅 P 沟道。例如,3DJ6D是结型N 沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N 沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS× × #，CS 代表场效应管，× × 以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G 等。 三、场效应管的参数 1、IDSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压 UGS=0 时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压 UGS— 对漏极电流 ID 的控制能力，即漏极电流 ID 变化量与栅源电压 UGS 变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅...
