精品文档---下载后可任意编辑65-45nm 器件制作超浅结注入工艺设计的开题报告【摘要】近年来，超浅结（Ultra-Shallow Junction，USJ）技术...
精品文档---下载后可任意编辑60W800MHz-900MHz 射频 LDMOS 器件结构中场极板的设计的开题报告一、选题背景射频（Radio Frequency, RF...
精品文档---下载后可任意编辑600V SOI 高压器件的设计与性能的讨论的开题报告一、选题背景及意义随着现代电子技术的不断进展，各种电子设...
精品文档---下载后可任意编辑600V 功率 MOSFET 器件的元胞结构讨论的开题报告一、讨论背景和目的随着电子设备的普及和应用范围的不断扩...
精品文档---下载后可任意编辑600V Trench 超结 VDMOS 器件雪崩耐久性的讨论的开题报告题目：600V Trench 超结 VDMOS 器件雪崩耐久...
精品文档---下载后可任意编辑600V 功率 VD-MOSFET 器件仿真的开题报告题目：基于 PSpice 的 600V 功率 VD-MOSFET 器件仿真讨论一...
精品文档---下载后可任意编辑600V LDMOS 器件设计的开题报告题目：600V LDMOS 器件设计1. 讨论背景随着电力电子技术的不断进展和应用...
精品文档---下载后可任意编辑4H-SiC 大功率肖特基二极管器件设计及工艺讨论的开题报告1. 讨论背景4H-SiC（碳化硅）材料因其具有高电场强...
精品文档---下载后可任意编辑4H-SiC BJT 功率器件结构和特性讨论的开题报告开题报告题目： 4H-SiC BJT 功率器件结构和特性讨论一、选...
精品文档---下载后可任意编辑3 毫米 InP 基 HEMT 器件小信号建模讨论开题报告一、讨论背景与意义III-V 族化合物半导体在高速、高功率...
精品文档---下载后可任意编辑200V 功率 SOI-PLDMOS 器件热载流子退化机理讨论中期报告中期报告：1.讨论背景随着电子设备的进展，人们对...
精品文档---下载后可任意编辑200V SOI 工艺高压 ESD 保护器件设计的开题报告开题报告设计一个 200V SOI 工艺高压 ESD 保护器件1....
精品文档---下载后可任意编辑200V SOI-PLDMOS 器件的优化设计及其可靠性分析的开题报告【题目】200V SOI-PLDMOS 器件的优化设计及其可...
精品文档---下载后可任意编辑200V SOI-LIGBT 器件 ESD 响应特性与行为模型讨论的开题报告一、选题背景及意义随着电子技术的迅速进展，...
精品文档---下载后可任意编辑1200V 高压大功率快恢复二极管器件设计和工艺讨论的开题报告一、选题背景随着能源危机的日益加剧，环保、节能...
精品文档---下载后可任意编辑1200V 高雪崩耐量 IGBT 器件讨论及优化设计的开题报告一、讨论背景随着电力电子技术的不断进展，越来越多的...
精品文档---下载后可任意编辑0.5μm 40V 高压器件的 SPICE 模型讨论的开题报告题目：0.5μm 40V 高压器件的 SPICE 模型讨论摘要：...
精品文档---下载后可任意编辑0.8umSOI 高频互补双极工艺的器件设计的开题报告开题报告：0.8umSOI 高频互补双极工艺的器件设计一、讨论背...
