深圳市高科实业有限公司6″、0.35μm SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目可行性讨论报告（代项目建议书）信息产业电子第十一设计讨论院有...
深圳市XX实业有限公司6″、0.35μm SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目可行性讨论报告深圳市xx咨询有限公司二○一一年四月深圳市XX实业有...
用 C-V 法讨论锗硅量子阱结构的电学性质：程佩红指导老师：黄仕华摘 要：基于不同偏压围解析求解泊松方程，得到单量子阱结构电容-电压(C...
第37卷第3期红外与激光工程2008年6月V01．37No．3InfraredandLaserEngineeringJun．2008高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟李欢1，牛萍娟...
