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第一章：1. 看懂这是一个三极管利用基区、发射区扩散形成电阻的结构2.看懂电极外延层电阻结构3.看懂电极MOS 集成电路中的多晶硅电阻4.电容结构包括哪些要素？两端是金属，中间是介电材料。集成电路中电容的结构5.这是电容结构Pn 结位于空间电荷区，是一个电容结构。PN 结电容结构6. MOS场效应晶体管中以SiO2为栅极层MOS 场效应晶体管电容结构7.有源器件？二极管，三极管，MOS 管集成电路中二极管的基本结构8.看懂二极管，三极管的结构集成电路中二极管的结构9.三极管分清 npn 与 pnp？有什么区别？怎么画的？结构上，NPN 三极管的中间是P 区（空穴导电区） ，两端是 N 区（自由电子导电区） ，而 PNP三极管正相反。使用上， NPN 三极管工作时是集电极接高电压，发射极接低电压， 基极输入电压升高时趋向导通，基极输入电压降低时趋向截止； 而 PNP三极管工作时则是集电极接低电压， 发射极接高电压，基极输入电压升高时趋向截止，基极输入电压降低时趋向导通。晶体管的基本结构10.什么叫 NMOS?什么叫 PMOS？PMOS 是指利用空穴来传导电性信号的金氧半导体。NMOS 是指利用电子来访传导电性信号的金氧半晶体管。MOS 管的结构图和示意图11.集成电路包括哪些阶段？核心阶段？阶段 : 硅片（晶圆）的制备、掩膜版的制作、硅片的制造及元器件封装集成电路制造的阶段划分半导体芯片的制造框图半导体芯片制造的关键工艺12.硅的基本性质？它的优点？硅的禁带宽度较大（1.12eV），硅半导体的工作温度可以高达200℃。硅片表面可以氧化出稳定且对掺杂杂质有极好阻挡作用的氧化层（SiO2）优点：(1)硅的丰裕度硅是地球上第二丰富的元素，占到地壳成分的25%，经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度，而消耗的成本比较低。(2)更高的熔化温度允许更宽的工艺容限硅的熔点是1412℃，远高于锗937℃的熔点，更高的熔点使得硅可以承受高温工艺。(3)更宽的工作温度范围用硅制造的半导体器件可以工作在比锗制造的半导体器件更宽的温度范围，增加了半导体器件的应用范围和可靠性。(4)氧化硅的自然生成硅表面有能够自然生长氧化硅(SiO2)的能力， SiO2 是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污。13.硅生长有哪两个生长方法？用于什么样的地方？(1)直拉法 (CZ) 直拉法生长单晶硅是将熔化了的半导体级多晶硅变成有正确晶向并被掺杂成N 型或 P 型的固体硅锭。 均匀的大直径晶体(2)...