1 微电子技术发展方向21 世纪初微电子技术仍将以尺寸不断缩小的硅基CMOS工艺技术为主流；随着 IC 设计与工艺水平的不断提高，系统集成芯片将成为发展的重点；并且微电子技术与其他学科的结合将会产生新的技术和新的产业增长点。1.1 主流工艺——硅基CMOS电路硅半导体集成电路的发展，一方面是硅晶( 圆) 片的尺寸愈来愈大，另一方面是光刻加工线条（特征尺寸）愈来愈细。从硅片尺寸来看，从最初的2 英寸，经过 3 英寸、 4 英寸、 5 英寸、 6 英寸发展到当今主流的 8 英寸。据有关统计， 目前世界上有 252 条 8 英寸生产线， 月产片总数高达 440 万片，现在还在继续建线。近几年来又在兴建12 英寸生产线，硅晶片直径达 12 英寸（300mm），它的面积为 8 英寸片（200mm）的 2.25 倍。1999年 11 月下旬，由 Motorola与 Infineon Technologies 联合开发的全球首批300mm晶片产品面市。该产品是64M DRAM，采用的是 0.25 μ m工艺技术，为标准的TSOP封装。据介绍， 300mm晶片较 200mm晶片，每个芯片的成本降低了30%～40%。到目前，已经达到量产的12 英寸生产线已有 6 条，它们是：（1）Semiconductor 300 公司，位于德国德累斯顿，开始月产1500 片，由0.25 μ m进到 0.18 μ m。（2）Infineon公司，位于德国德累斯顿，0.14 μ m，开始月产 4000 片。（3） TSMC公司，位于我国台湾新竹， Fab12 工厂生产线，由 0.18 μ m进到0.15 μ m以至 0.13 μ m，开始月产4500 片。（4）三星公司，位于韩国， Line 11 生产线， 0.15/0.13 μ m，开始月产1500 片。（5）Trecenti公司，位于日本那珂 N3厂，月产能 7000 片，0.15/0.13 μ m。（6）Intel 公司的 D1C厂，开始月产 4000 片，0.13 μ m。此外，已经建厂，开始试投的也已有9 条线；正在建的有4 条线。采用 12 英寸晶片生产的IC 产品，据报道已有： 韩国三星公司批量生产512M内存（DRAM）；美国 Altera公司在台湾 TSMC公司加工生产可编程逻辑器件 （PLD），采用 0.18 μ m技术；美国 Intel公司在 2001 年 3 月份宣布，在当年采用0.13 μ m技术建 12 英寸生产线量产 CPU。其余各线主要做存储器电路,DRAM、SRAM或Flash 。在光刻加工线条（特征尺寸）方面，如前所述，在主流0.25 μ m技术之后，已有 0.18 μ m、0.15 μ m以至 0.13 μ m技术连续开发出来并投入使用。据报道，韩国现代...
