PECVD设备原理学习汇报InnovationEnlightensTheFuture2019.08.091InnovationEnlightensTheFuturePECVD设备简介设备常见问题及处理措施爱发科设备特点PECVD设备简介2MP2DPTPMP1MFC1MFC2MFC3MFC4MFC5MFC6RFMartchingChamberLoad-LockGas1Gas2Gas3Gas4Gas5Gas6DV表示各种阀PECVD系统结构特气系统真空系统Load-Lock系统沉积系统3真空系统真空和压力控制系统包括机械泵、分子泵、粗抽阀、前级阀、闸板阀、真空计等。为了减少氮气、氧气以及水蒸气对淀积工艺的影响，真空系统一般采用干泵和分子泵进行抽气，干泵用于抽低真空，与常用的机械油泵相比，可以避免油泵中的油气进入真空室污染基片。在干泵抽到一定压力以下后，打开闸板阀，用分子泵抽高真空。分子泵的特点是抽本体真空能力强，尤其是除水蒸汽的能力非常强。PECVD设备简介4沉积系统淀积系统由射频电源、水冷系统、基片加热装置等组成。它是PECVD的核心部分。射频电源的作用是使反应气体离子化。水冷系统主要为PECVD系统的机械泵、罗茨泵、干泵、分子泵等提供冷却，当水温超过泵体要求的温度时，它会发出报警信号。冷却水的管路采用塑料管等绝缘材料，不可用金属管。基片加热装置的作用使样品升温到工艺要求温度，除掉样品上的水蒸气等杂质，以提高薄膜与样品的附着力PECVD设备简介5特气系统主要有管道和电磁阀组成，主要作用是提供成膜所需要的特气及吹扫腔室的气体。·反应气体：Ar、CH4、B2H6、H2、SiH4、GeH4、PH3·清洁气体：NF3·吹扫气体：N2，·质量流量计量程：TMB（三甲基硼C3H9B）、PH3、GeH4：4000scmAr、CH4、SiH4：15000scmH2：30000scmPECVD系统的气源几乎都是由气体钢瓶供气，这些钢瓶被放置在有许多安全保护装置的气柜中，通过气柜上的控制面板、管道输送到PECVD的工艺腔体中。在淀积时，反应气体的多少会影响淀积的速率及其均匀性等，因此需要严格控制气体流量，通常采用质量流量计来实现精确控制。PECVD设备简介6Load-Lock系统真空状态的设备内部与外面的大气压间进行转换的Chamber，通过Cassette向Load-lockCh传送时，首先使用N2气使其由真空转变为大气压，传送结束后，使用Dry泵使其由大气压转变为真空，而且对沉积完成的热的Glass进行冷却，为减少P/T（Particle）的产生，在进行抽真空/Vent时使用Slow方式>基础真空：500mTorr以下>两个Load-lockChamber公用一个Pump>Load-lockDoor是由两个气缸构成，完成两个方向的运动>升降台：由导轨和丝杠构成，通过直流步进电机进行驱动PECVD设备简介7InnovationEnlightensTheFuturePECVD设备简介设备常见问题及处理措施爱发科设备特点8设备常见问题设备常见问题无法起辉辉光不稳成膜质量差沉积速率低腔室压力不稳设备常见问题及处理措施9（1）射频电源故障，检查射频源电源功率输出是否正常。（2）反应气体进气量小，检查气体流量计是否正常，若正常，则加大进气量进行试验。（3）腔体极板清洁度不够，用万用表测量腔体上下极板的对地电阻，正常值应在数十兆欧以上，若异常，则清洁腔体极板。（4）射频匹配电路故障，检查射频源反射功率是否在正常值范围内，若异常，则检查匹配电路中的电容和电感是否损坏。设备常见问题的处理措施◊无法起辉设备常见问题及处理措施10（1）电源电流不稳，测量电源供电是否稳定。（2）真空室压力不稳定，检查腔体真空系统漏率是否正常，检查腔体进气量是否正常。（3）电缆故障，检查电缆接触是否良好。◊辉光不稳◊成膜质量差（1）样片表面清洁度差，检查样品表面是否清洁。（2）工艺腔体清洁度差，清洗工艺腔体。（3）样品温度异常，检查温控系统是否正常，校准测温热电偶。（4）膜淀积过程中压力异常，检查腔体真空系统漏率。（5）射频功率设置不合理，检查射频电源，调整设置功率。设备常见问题及处理措施11◊沉积速率低（1）射频输入功率不合适，调整射频功率。（2）样品温度异常，检查冷却水流量及温度是否正常。（3）真空腔体压力低，调整工艺气体流量。◊反应腔室压力不稳定（1）检查设备真空系统的波纹管是否有裂纹。（2）检查气体流量计是否正常。（3）手动检查蝶阀开关是否正常。（4）真空泵异常，用真空计测量真空泵的抽速...
