1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor：受主，如 B,掺入 Si 中需要接受电子3.Acid：酸4.Activedevice：有源器件，如 MOSFET(非线性，可以对信号放大)5.Alignmark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammoniumfluoride：NH4F10. Ammoniumhydroxide：NH4OH11. Amorphoussilicon：a-Si,非晶硅(不是多晶硅)12. Analog：模拟的13. Angstrom：A(lE-10m)埃14. Anisotropic：各向异性(如戸 01?/£亿 1-1)15. AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以 95%置信度通过质量标准(不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率)16. ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层(用于 METAL 等层的光刻)17. Argon(Ar)氮18. Arsenic(As)?申19. Arsenic1rioxide(As203)三氧化二碎20. Arsine(AsH3)21. Asher：去胶机22. Aspectration：形貌比(ETCH 中的深度、宽度比)23. Autodoping：自搀杂(外延时 SUB 的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层)24. Backend：后段(CONTACT 以后、PCM 测试前)25. Baseline：标准流程26. Benchmark：基准27. Bipolar：双极28. Boat：扩散用(石英)舟29. CD：(CriticalDimension)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽，例如 POLYCD 为多晶条宽。30. Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。31. Chemical-mechanicalpolish(CMP):化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。32. Chemicalvapordeposition(CVD):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工-PP21O33. Chip：碎片或芯片。34. CIM：computer-integratedmanufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。35. Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。36. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。37. Compensationdoping：补偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂质。38. CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor 的缩写。一种将 PMOS 和 NMOS 在同一个硅衬底上混合制造的工艺。39. Computer-aideddesign(CAD):计算机辅助设计。40. Conductivitytype：传导类型，由多数载流子决定。在 N 型材料中多数载流子是电子，在 P型材料中多数载流子是空穴。41. Contact：孑 L。在工...
