紫外正型光刻胶及配套试剂 一．紫外正型光刻胶开发及应用 微细加工技术实际上就是实现图形转移整个过程中的处理技术，也就是将掩膜母版上的几何图形先转移到基片表面的光刻胶胶膜上，然后再通过从曝光到蚀刻等一系列处理技术把光刻胶膜上的图像复制到衬底基片表面并形成永久性图形的工艺处理过程。在此过程中光刻工艺是IC 生产的关键工艺，光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀刻并最终获得永久性的图形。在图形转移中需要 10 多次光刻才能完成。蚀刻的方式有多种，其中湿法蚀刻是应用最广、最简便的方法。而且超净高纯试剂、紫外光刻胶在电子工业的实际生产中应用最广。而光刻胶及蚀刻技术是实现微电子微细加工技术的关键。 所谓光刻胶，又称光致抗蚀剂(Photoresist)，是指通过紫外光、电子束、离子束、Ｘ—射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，经曝光和显影而使溶解度增加的是正型光刻胶，溶解度减小的是负型光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶(包括紫外正型光刻胶、紫外负型光刻胶)、深紫外光刻胶、电子束胶、Ｘ—射线胶、离子束胶等。光刻胶与 IC 发展的关系见下表： 年 代 86 年 89 年 92 年 95 年 98 年 2001年 2004 年 2007 年 2010 年 IC 集成度 1M 4M 16M 64M 256M 1G 4G 16G 64G 技术水平 μm 1.2 0.8 0.5 0.35 0.25 0.18 0.13 0.10 0.07 可能采用的光刻技术 ｇ线 ｇ线 ｉ线 KrF ｉ线 KrF KrF KrF+RET ArF ArF+RET F2 PXL IPL F2+RET EPL EUV IPL EBOW 备注 ⑴ ｇ线：为ｇ线光刻技术 ⑵ ｉ线：为ｉ线光刻技术； ⑶ KrF：为 248nm 光刻技术； ⑷ ArF：为 193nm 光刻技术； ⑸ F2：为 157nm 光刻技术； ⑹ RET：为光网增强技术； ⑺ EPL：为电子投影技术； ⑻ PXL：近Ｘ—射线技术； ⑼ IPL：为离子投影技术； ⑽ EUV：为超紫外技术； ⑾ EBOW：为电子束直写技术。 试剂所自 70 年代末 80 年代初开始从事紫外正、负型光刻胶及配套试剂的研究与开发工作，自“六五”以来，一直是国家重点科技攻关项目 ── 紫外光刻胶研究项目的组长承担单位。到目前为止，已经研制成功适用于5μm、2～3μm、0.8～1.2μm 工艺技术用的系列紫外正、负型光刻胶及配套试剂。其中的 BN-302、BN-303、BN-308、BN-310 系列紫外负型光刻...
