热拴理簡n20(a)填空 20 简答 20 判断 10 综合 50第一单元1•一定温度，杂质在晶体中具有最大平衡浓度，这一平衡浓度就称为什么
固溶度2•按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为
（P24）有坩埚：直拉法、磁控直拉法无坩埚：悬浮区熔法3•外延工艺按方法可分为哪些
（P37）气相外延、液相外延、固相外延和分子束外延4
Wafer 的中文含义是什么
目前常用的材料有哪两种
晶圆；硅和锗5
自掺杂效应与互扩散效应（P47-48）_~~~INEO热处理倉/拗 ihMJBt一—(bl(b)左图：自掺杂效应是指高温外延时，高掺杂衬底的杂质反扩散进入气相边界层，又从边界衬底一外延层(a)层扩散掺入外延层的现象
自掺杂效应是气相外延的本征效应，不可能完全避免
自掺杂效应的影响：Q 改变外延层和衬底杂质浓度及分布Q 对 p/n 或 n/p 硅外延，改变 pn 结位置右图：互（外）扩散效应：指高温外延时，衬底中的杂质与外延层中的杂质互相扩散，引起衬底与外延层界面附近的杂质浓度缓慢变化的现象
不是本征效应，是杂质的固相扩散带来（低温减小、消失）6•什么是外延层
为什么在硅片上使用外延层
1）在某种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，通过外延技术在硅表面沉积一个新的满足上述要求的晶体膜层，该膜层称为外延层
2）在硅片上使用外延层的原因是外延层在优化 pn 结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度
外延在 CMOS 集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低
外延层通常是没有玷污的
常用的半导体材料为何选择硅
1）硅的丰裕度
硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的 25%；经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本
2）更高的熔化温度允
