LED（发光二极管）分类及发光材质介绍 LED 技术指标介绍 LED显示屏的相关知识 2009-10-07 14:47 阅读104 评论0 字号： 大 中 小 LED 电子显示屏是利用化合物材料制成pn 结的光电器件。它具备pn 结结型器件的电学特性：I-V 特性、C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、 LED 电学特性 1.1 I-V 特性表征LED 芯片pn 结制备性能主要参数。LED的 I-V 特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 如左图： (1) 正向死区：（图oa 或 oa′段）a 点对于V0 为开启电压，当V＜ Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R 很大；开启电压对于不同LED 其值不同，GaAs 为 1V，红色GaAsP 为 1.2V， GaP 为 1.8V， GaN 为 2.5V。 （ 2）正向工作区：电流IF 与外加电压呈指数关系 IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 为反向饱和电流 。 V＞ 0 时，V＞ VF 的正向工作区IF 随 VF 指数上升 IF = IS e qVF/KT （ 3）反向死区 ： V＜ 0 时 pn 结加反偏压 V= - VR 时，反向漏电流IR（ V= -5V）时，GaP 为 0V， GaN 为 10uA。 （ 4）反向击穿区 V＜ - VR ， VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR 为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜ - VR 时，则出现IR 突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED 的反向击穿电压VR 也不同。 1.2 C-V 特性 鉴于LED 的芯片有9× 9mil (250× 250um)， 10× 10mil，11× 11mil (280× 280um)， 12× 12mil (300× 300um)，故pn 结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C≈ n+pf 左右。 C-V 特性呈二次函数关系（如图2） 。由1MHZ 交流信号用C-V 特性测试仪测得。 1.3 最大允许功耗PF m 当流过LED 的电流为IF、管压降为UF 则功率消耗为P=UF× IF LED 工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。若结温为Tj、外部环境温度为Ta， 则当Tj＞ Ta 时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量（功率），可表示为P = KT（ Tj – Ta）。 1.4 响应时间 响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。 现有几种显示LCD（液晶显示）约10-3~10-5S， CRT、 PDP、 LED都达到10-6~10-7S（ us 级）。 ① 响...
