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第一章半导体二极管1. 本征半导体单质半导体材料是具有4 价共价键晶体结构的硅Si 和锗 Ge。导电能力介于导体和绝缘体之间。特性：光敏、热敏和掺杂特性。本征半导体： 纯净的、 具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发） ，产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对） ，温度越高，本征激发越强。空穴是半导体中的一种等效+q 的载流子。 空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示 +q 电荷的空位宏观定向运动。在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。2．杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的3 价元素（多子是空穴，少子是电子）。N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的5 价元素（多子是电子，少子是空穴）。杂质半导体的特性载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。3.PN 结在具有完整晶格的P 型和 N 型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN 结）。PN 结中存在由N 区指向 P 区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。PN 结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。正偏 PN 结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V ，锗材料约为0.2-0.3V 。反偏 PN 结（ P-，N+ ）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。PN结的伏安（曲线）方程：4. 半导体二极管普通的二极管内芯片就是一个PN 结， P 区引出正电极，N 区引出负电极。单向导电性：正向导通，反向截止。正向导通压降：硅管0.6~0.7V ，锗管 0.2~0.3V 。死区电压：硅管0.5V，锗管 0.1V。分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴 (正偏 )，二极管导通 (短路 ); 若 V阳